【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27511，可P2P替换

【选型】国产MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI的LM5114BMF用于通信电源输出同步整流

本文主要介绍上海瞻芯电子的MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI LM5114BMF在通信电源输出同步整流上进行应用，工作电压、抵抗负压能力更高，驱动电流更大，封装均为SOT-23-6管脚定义相同。

【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比，多个参数一致

上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver，提供系列非隔离低边驱动IC。​本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比，以方便有需要研发工程师选型。

【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27517，工作电压更宽，开关损耗更小

2020年8月，瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S诞生，成为替代外资品牌的另一生力军，除了相当有竞争力的价格外，拥有与市场上主流产品相当的质量与性能。本文对比IVCR1407S与TI UCC27517。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【IC】瞻芯电子全新升级双通道驱动芯片IVCR2504，拉灌电流峰值由4A增加到5A

瞻芯电子推出了一款全新升级的双通道驱动芯片IVCR2504，它延续了经典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、紧凑的特点，并将拉灌电流峰值由4A增加到5A，驱动能力更强，且上拉速度更快，也同样兼容高达24V宽幅输入供电，并集成欠压保护功能，能高效、安全地驱动Si MOSFET, IGBT以及GaN功率器件。

【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计，低传播延迟≤20ns

本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR，它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件，单通道大电流，高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流，可以用于激光测距雷达的设计。

【应用】国产高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR助力家用手持射频美容仪设计，传播延迟低，实现5M射频输出

某个客户要设计一款家用手持射频美容仪，想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率，经推荐，客户选择使用了英洛赛科的INN650D150A，配合瞻芯电子的IVCR1801SR驱动芯片，能够实现5M以上的射频输出，大大提高射频美容仪的美容效果。

【应用】瞻芯电子IVCR1801驱动器用于模块电源，工温范围-40到125℃，可提供4A峰值拉/灌电流

本文推荐用瞻芯电子推出的驱动器IVCR1801用于模块电源产品中。该驱动可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件，具有低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点，温度范围宽达-40℃到125℃，能提供4A峰值拉电流和8A峰值灌电流。

【选型】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3100T功能对比，工作电压更宽为4.5~20V

上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver，提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3100T功能和参数进行对比，以方便有需要研发工程师选型。