【产品】1500V/2.5A适用于高速电源开关设计的N沟道MOSFET 2SK1317
RENESAS公司推出的一款N沟道MOSFET产品——2SK1317(订购型号2SK1317-E)，其产品外观和内部结构示意图如图1所示 ，能够进行高速开关，非常适用于高速电源开关设计。
图1 2SK1317的产品外观和内部结构示意图
值得一提的是，2SK1317具备高击穿电压特性，并且无二次击穿，其漏源电压VDSS为1500V，栅源电压VGSS为±20V，可用于开关稳压器、DC-DC转换器以及电动机驱动器设计。同时，2SK1317具备出色的环境适应性，可在-55°C ~ +150°C的温度范围内存储，并且其沟道的上限温度为150℃，具备出色的温度稳定性。2SK1317-E具备低驱动电流特性，有利于降低系统功耗。此外，2SK1317的漏极电流（ID）为2.5A，在脉冲宽度PW≤10µs、占空比≤1%的条件下，脉冲漏极电流（ID(pulse)）为7A。
图2 2SK1317-E的电气特性
除了上述优势之外，2SK1317的详细电气特性可在图2获取，包括漏极-源极击穿电压、栅极-源极漏电流、漏极电流（零栅极电压）、栅源截止电压、电阻、输入/输出电容、反向传输电容、开启/关断延迟时间、上升/下降时间等等。
2SK1317的主要特性：
·高击穿电压（VDSS=1500V），无二次击穿
•高速开关、低驱动电流
•沟道的上限温度为150℃
•存储温度范围-55°C~+150°C
2SK1317的应用领域：
•高速电源开关、开关稳压器、DC-DC转换器以及电动机驱动器
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