【产品】650V/4A的碳化硅肖特基二极管IV1D06004P3,采用TO252-3封装,反向恢复电流、正向恢复电压为零
瞻芯电子推出反向重复峰值电压高达650V的碳化硅肖特基二极管IV1D06004P3,采用TO252-3封装,具有高浪涌电流容量、工作结温高(-55°C ~175°C )的特点,可高频工作,适用于光伏微逆变器等应用。
产品封装图
特点:
⚫ 高浪涌电流容量
⚫ 零反向恢复电流
⚫ 零正向恢复电压
⚫ 最高工作结温为175°C
⚫ 高频工作
⚫ 开关特性不受温度影响
⚫ 正向导通电压VF为正温度系数
应用:
⚫ 光伏微逆变器
⚫ 适配器
⚫ 电视机电源
⚫ 开关电源
最大额定值 (TC=25°C,特殊说明除外)
电气特性
热阻特性
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本文由董慧转载自瞻芯电子,原文标题为:IV1D06004P3 – 650V 4A 碳化硅肖特基二极管,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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瞻芯电子SiC肖特基二极管(SBD)选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:VRRM(V):650V&1200V、IF( TJ =150°C)(A):2~40
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VRRM(V)
|
IF( TJ =150°C)(A)
|
IFSM( tp=10ms)(A)
|
VF( TJ =25°C)(V)
|
VF( TJ =175°C)(V)
|
IR( TJ =25°C)(μA)
|
IR( TJ =175°C)(μA)
|
QC(nC)
|
Package
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IV1D06004BD
|
SiC肖特基二极管
|
工业级
|
650V
|
4A
|
32A
|
1.45V
|
1.85V
|
1.0μA
|
5.0μA
|
7.7nC
|
Bare Die
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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