【应用】汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6成功应用于埃安Hyper SSR超跑，工作电压900V

时间： 2022-09-21 来源：基本半导体公众号

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汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块,汽车级碳化硅功率模块,MOSFET芯片,碳化硅驱动芯片

2022年9月15日，埃安品牌之夜暨超跑发布会在广州举办。埃安发布品牌全新LOGO——“AI神箭”，推出全新高端品牌Hyper昊铂，及Hyper旗下首款车型——超跑Hyper SSR。埃安独创的两档四合一高性能电机选用基本半导体汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块 Pcore™6，该碳化硅模块支持900V工作电压，可使电机工作频率提高2.5倍，同时降低80%的功率损耗。

Pcore™6汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片，是基本半导体的一款旗舰型产品。该模块专为混合动力和电动汽车核心牵引驱动器高性能、高效率应用需求而设计，结构非常紧凑。

Pcore™6系列模块在内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术，并采用氮化硅高性能AMB陶瓷板、直接液冷型铜基PinFin板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，具有低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性等特点。该系列产品能有效减低电动汽车主驱电控、燃料电池能源管理系统应用中的功率器件温升，以及在相同芯片温升情况下，输出电流增加10%以上，同时延长器件寿命5倍。

在助力Hyper SSR超跑的同时，基本半导体与广汽集团的合作也在不断深化。今年6月，广汽资本参投了基本半导体的C2轮融资；2022年7月，基本半导体与埃安签订了《战略合作协议》和《长期采购合作协议》。

作为国内碳化硅功率器件行业领军企业，基本半导体研发覆盖碳化硅材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等全产业链，并建立了完备的国内国外双循环供应链体系。公司自研的碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等核心产品，性能达到国际先进水平，器件产品累计出货超过2000万颗。

基本半导体汽车级碳化硅功率模块制造基地

目前，基本半导体正和国内外多家头部车企及电机控制器Tier1企业进行测试开发，并已获得多家客户的定点。公司2021年通线的无锡汽车级碳化硅功率模块封装产线也已进入量产阶段。

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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

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【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

2023-11-27 - 产品代理服务技术支持批量订货

中国新能源汽车的几何式发展，倒推SiC碳化硅市场扩张

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

2024-12-04 - 行业资讯代理服务技术支持批量订货

【元件】基本半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级认证，全力推进新能源汽车高效应用

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2024-06-28 - 产品代理服务技术支持批量订货

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

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2023-04-11 - 原厂动态代理服务技术支持批量订货

【元件】基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验

基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势，其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言，PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。

2024-11-22 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，提高系统输出电流能力10%

汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。

2022-09-17 - 新产品代理服务技术支持批量订货

江苏中科汉韵半导体有限公司聚焦于第3代半导体SiC MOSFET芯片的研发、生产和销售，同时设计和生产与之相配的SiC 二极管（JBS）。中科汉韵还研发与自产的SiC 芯片配套的SiC驱动芯片和先进封装技术和模块，但是驱动芯片和先进模块的生产由合作企业完成。

碳化硅功率器件碳化硅JBS二极管碳化硅功率MOSFET晶圆封装管

代理服务线上商城技术资料

G4S06506RT 碳化硅肖特基二极管

描述- 该资料详细介绍了G4S06506RT型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，适用于高温和高频工作环境，主要应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。

型号- G4S06506RT

2024/8/8 - 泰科天润 - 数据手册 - Rev. X.0 代理服务技术支持批量订货

凶猛来袭！基本半导体领先碳化硅功率模块技术赋能埃安霸王龙，强悍超长续航引领绿色出行新风尚

2024年7月23日，埃安全球战略车型第二代AION V上市发布会正式启幕，第二代AION V以“纯电霸王龙”的姿态震撼登场，展现在外观、空间、续航、补能、舒适、智能和安全等方面的八大核心产品力。基本半导体以领先的碳化硅功率模块技术，赋能埃安霸王龙凶猛来袭，以强悍的超长续航、超高效能引领绿色出行新风尚！

2024-07-31 - 产品代理服务技术支持批量订货