【产品】蓝箭电子推出采用PDFN3×3A-8L塑封封装的N沟道MOS场效应管BRCS080N03YB，VDSS值30V

时间： 2023-04-04 来源：蓝箭电子

技术问答

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管 BRCS080N03YB，采用PDFN3×3A-8L塑封封装。具有V_DS(V)=30V，I_D=30A(V_GS=±20V)，R_DS(ON)@10V≤9mR(Typ.8mR)，HFProduct的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关，其V_DSS值30V，I_D(Tc=25℃)值为30A，T_j和T_stg温度范围为-55～150℃。

特征：

V_DS(V)=30V，I_D=30A(V_GS=±20V)，R_DS(ON)@10V≤9mR(Typ.8mR)，HFProduct，无卤产品。

用途：

用于高功率DC/DC转换和功率开关。

极限参数（Ta=25℃）

电性能参数（Ta=25℃）

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蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA，采用SOT-89塑封封装。其VDS(V)值为100V，在VGS为10V时，ID=4A，RDS(ON)小于115mΩ。该产品适用于作负载开关或脉宽调制应用。

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【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装，适用于低压电路

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【产品】蓝箭推出双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，VDSS值30V，采用PDFN3×3-8L塑封封装

蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，采用PDFN3×3-8L塑封封装。具有VDS(V)=30V，ID=24A(VGS =±20V)，RDS(ON)@10V≤13mR(Typ.11mR)，HFProduct的特征。

产品发布时间 : 2022-11-14

萨科微半导体低压MOS管FDN327N，阈值电压0.7V，适用小型电子设备

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产品发布时间 : 2024-01-17

【产品】内置静电保护二极管的双N沟道MOS场效应管BRD7002K1，采用SOT-363塑封封装

蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRD7002K1，采用SOT-363塑封封装。BRD7002K1具有灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流，内置静电保护二极管，是一种无卤产品。其VDSS和VDGR值均为60V，ID值为250mA。

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【产品】TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A，适用于高功率DC/DC转换和功率开关

蓝箭电子推出的TO-263塑封封装N沟道MOS场效应管BRB80N08A，具有低栅电荷,低反馈电容,开关速度快的特征。该器件适用于高功率DC/DC转换和功率开关，其VDSS值80V。

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