【产品】CJCD2007双N沟道MOSFET,采用DFNWB2×3-6L-C塑封,适用于单向或双向负载开关

2020-11-21 长晶科技
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长晶科技推出的CJCD2007是采用DFNWB2×3-6L-C塑封的双N沟道MOSFET,使用先进的沟槽工艺技术,具有低漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。MOSFET具有ESD保护,采用共漏极配置,适合用作单向或双向负载开关。此外,器件的结温最大至150°C,存储温度范围宽至-55~150°C,能够在不同温度环境下工作。并且,MOSFET能承受260°C/10s高温焊接。

CJCD2007的漏源电压最大额定值为20V,栅源电压最大额定值为±12V,连续漏极电流最大额定值为8A,脉冲漏极电流可达45A。具有低导通电阻,采用脉冲测试(脉冲宽度≤300µs,占空比≤0.5%),在VGS =4.5V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为12.5mΩ;在VGS =4.0V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为13mΩ;在VGS =3.8V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为13.5mΩ。

图1 产品外观和等效电路

优势与特性

使用先进的沟槽工艺技术

低漏源导通电阻RDS(ON)

低栅极电荷

具有ESD保护


应用领域

单向或双向负载开关


标记

尺寸信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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