【产品】CJCD2007双N沟道MOSFET，采用DFNWB2×3-6L-C塑封，适用于单向或双向负载开关
长晶科技推出的CJCD2007是采用DFNWB2×3-6L-C塑封的双N沟道MOSFET，使用先进的沟槽工艺技术，具有低漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷。MOSFET具有ESD保护，采用共漏极配置，适合用作单向或双向负载开关。此外，器件的结温最大至150°C，存储温度范围宽至-55~150°C，能够在不同温度环境下工作。并且，MOSFET能承受260°C/10s高温焊接。
CJCD2007的漏源电压最大额定值为20V，栅源电压最大额定值为±12V，连续漏极电流最大额定值为8A，脉冲漏极电流可达45A。具有低导通电阻，采用脉冲测试（脉冲宽度≤300µs，占空比≤0.5%），在VGS =4.5V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为12.5mΩ；在VGS =4.0V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为13mΩ；在VGS =3.8V, ID =3A条件下的漏源导通电阻典型值仅为13.5mΩ。
图1 产品外观和等效电路
优势与特性
使用先进的沟槽工艺技术
低漏源导通电阻RDS（ON）
低栅极电荷
具有ESD保护
应用领域
单向或双向负载开关
标记
尺寸信息
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型号- CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ6320,CESD12VD3,CJA6376,DTESD5V0LED02,ESD3V3Y1,CESD12VD7,CJ6205,CJ6206,ESDBU18VA1,LM317,CJK02 SERIES,CJ78MXX,CJP10N65,CJZ255PL,SBD4060TCTB,CJAC70SN15,CJ9221T5,ESDBW5V0A1,S2MF,HC-49S,CJ6330,CJ6331,ESDBU2V5AE1,CJ6211,CJU75SN10L,CJ8345NM,CESD24VD5,1117,CESD24VD3,CJ808CXXM,SCJT1117B-XX,ESDBW5V0D3,ESDBL36VD3,RJBF310,CJ6107系列,SBD20H200CTB,MURW2060CTB,CJ6221,CJ6101,CJ88XX,CJ11 SERIES,CJ6107,CJ6109,CJ78LXX,ESDBKV5V0D3,CJ08 SERIES,CJB120SN10,CJ6300系列,CJ5123SG3J,CJ15 SERIES,SK310BF,CJU02N65,S1ML,CJMP3009G,CJPF12N65,ESDD7V0D3,SBD20150TCTB,CJS2019,CJ6330B33M,ESDM15VD3,CJ8810,ESDH10VP1,LMV321,ESDVD5V0H4,CJU40SN06,ESDL24VAE1,CJ5123H5G,SBD4045TCTB,ESDTU5V0A1,CJS2013,CJS2016,SS14,LM358,CJ12209SP,ESDU5V0N2,CJO03 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长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Process
|
ESD（Yes/No）
|
VDS（V）
|
ID（A）
|
RDS(mΩ)@VGS10V Max
|
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60V
|
0.2A
|
5000mΩ
|
6000mΩ
|
选型表 - 长晶科技 立即选型
【应用】长晶科技针对锂电充电保护板模块提供CSP封装MOS，附带ESD静电防护，提高稳定性
长晶科技针对锂电充电保护板模块提供多款电学性能优良，散热性能优秀的CSP封装MOS，独特CSP封装，内部附带ESD静电防护，尺寸超小超薄，配合超小封装(0201)TVS,让锂电产品做到更精密细致。
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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