【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD,采用TO-220封装

2019-11-11 无锡紫光微电子
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超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的,性能优化的产品,能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET,采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。


产品特点:

•超快体二极管

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

 

产品应用

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)


器件的的封装和内部电路:


TPP65R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为60A,重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A,在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ,雪崩电流最大额定值为3.5A,具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为151W,脉冲二极管正向电流最大额定值为60A。


器件标记和封装信息:



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • 大欢哥 Lv7. 资深专家 2019-11-12
    这个紫光是国么
  • 芯弟 Lv5. 技术专家 2019-11-12
    学习
  • 珍珍 Lv7. 资深专家 2019-11-11
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产品型号
品类
V(BR)DSS(V)
ID(A)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
V(GS)thmin(V)
V(GS)thmax(V)
Ciss(pF)
Qg(nC)
封装
TTD30N10AT
N-Channel Trench MOSFET
100
20
22
27
1
2.4
4529
37
TO-252

选型表  -  无锡紫光微 立即选型

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型号- TPV65R210A,TPP65R210A,TPA65R210A

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品类:安全芯片

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品牌:同芯微电子

品类:高性能CPU安全芯片

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品牌:同芯微电子

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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