【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD，采用TO-220封装
超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
产品特点：
•超快体二极管
•极低FOM RDS(on) x Qg
•100%雪崩测试
•符合RoHS标准
产品应用：
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
器件的的封装和内部电路：
TPP65R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ，雪崩电流最大额定值为3.5A，具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为151W，脉冲二极管正向电流最大额定值为60A。
器件标记和封装信息：
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大欢哥 Lv7. 资深专家 2019-11-12这个紫光是国么 -
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芯弟 Lv5. 技术专家 2019-11-12学习 -
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珍珍 Lv7. 资深专家 2019-11-11学习，下载
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无锡紫光微MOS管选型表
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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型号- AGR360N65S
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型号- TPD50R3K8D
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描述- 该资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPA80R300A、TPP80R300A和TPR80R300A三种800V超级结功率MOSFET。这些器件采用深沟槽超级结技术，具有非常低的开关损耗、传导损耗和通态电阻乘以电荷量（FOM RDS(on)×Qg），适用于高电压应用。
型号- TPA80R300A,TPP80R300A,TPR80R300A
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型号- TPA80R180M,TPB80R180M
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型号- TPA65R620CFD
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型号- TPV65R210A,TPP65R210A,TPA65R210A
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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