【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD，采用TO-220封装

时间： 2019-11-11 来源：无锡紫光微电子

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超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的，性能优化的产品，能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET，采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

产品特点：

•超快体二极管

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

产品应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

TPP65R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ，雪崩电流最大额定值为3.5A，具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为151W，脉冲二极管正向电流最大额定值为60A。

器件标记和封装信息：

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全部评论（3）

大欢哥 Lv7. 资深专家 2019-11-12

这个紫光是国么
芯弟 Lv5. 技术专家 2019-11-12

学习
珍珍 Lv7. 资深专家 2019-11-11

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