【产品】漏极电流可达5.8A的N道MOS场效应管AP3400，导通阻抗低至24mΩ

时间： 2022-01-16 来源：铨力半导体

技术问答

AP3400是铨力半导体推出的一款N道MOS场效应管，采用SOT-23塑封封装，漏极电流可达5.8A，导通阻抗低至24mΩ(V_GS=10V)，适用于作负载开关或脉宽调制应用。

特征

■V_DS(V)= 30V
■I_D =5.8A(V_GS=10V)
■R_DS(ON) < 24mΩ(V_GS=10V)
■R_DS(ON) < 30mΩ(V_GS=4.5V)
■R_DS(ON) < 52mΩ(V_GS=2.5V)

用途

适用于作负载开关或脉宽调制应用

内部等效电路

引脚序列

极限参数（Ta=25℃）

电性能参数（Ta=25℃）

电参数曲线图

外形尺寸图

回流焊温度曲线图（无铅）

耐焊接热试验条件

温度：260±5℃ 时间：10±1 秒

包装规格

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本文由C先森转载自铨力半导体，原文标题为:AP3400 N道MOS场效应管(AP3400 N-Channel Power MOSFET)，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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