本文由周云清提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势
本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。
【技术】解析耗尽型MOSFET的原理及应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛用于固态继电器、“常开”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本文中方舟微将为大家解析耗尽型MOSFET的原理及应用。
一文剖析MOSFET家族:增强型与耗尽型器件的特性与应用
MOS器件家族分为增强型(Enhancement Mode)和耗尽型(Depletion Mode)两大类。本文方舟微详细介绍了增强型与耗尽型器件的特性与应用。
耗尽型MOSFET与JFET的比较
JFET的全称分为结型场效应晶体管,MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管(FET),场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。
方舟微(ARK)耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南
描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年,是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案,ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新,是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发,以技术发展引导应用升级,是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力,自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。
型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
AKZ20N01G5 20V N沟道增强型MOSFET临时数据表
描述- 本资料为AKZ20N01G5型20V N-Channel增强型MOSFET的临时数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、电气特性、封装尺寸和应用领域,旨在为工程师提供设计参考。
型号- AKZ20N01G5
方舟微耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来,耗尽型MOSFET日益受到重视,广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等,涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。可以选用方舟微DMX1027和DMS4022E耗尽型MOSFET。
耗尽型MOSFET的几种应用简介
耗尽型MOSFET的几种应用简介:在上述电路中,无需使用其它DC-DC元件,仅使用一颗耗尽型MOSFET,即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足:Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。
AKZ20P01G5 20V P沟道增强型MOSFET临时数据表
描述- 本资料为AKZ20P01G5型20V P-Channel增强型MOSFET的初步数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、电气特性、封装尺寸、应用领域等信息,适用于高效率SMPS、适配器/充电器和主动PFC等领域。
型号- AKZ20P01G5
【元件】优恩全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件
优恩半导体全新推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件,采用深回扫(Deep Snap Back)工艺,有效降低TVS管VC残压值。采用CSP封装技术,大幅降低了TVS管电容值。小体积:DFN0603、DFN1006封装。
方舟微DMZ1520E等高阈值耗尽型MOSFET具有较高的阈值电压,非常适合搭配LDO给MCU供电
方舟微研发的高阈值耗尽型MOSFET具有较高的阈值电压,非常适合搭配LDO给MCU供电,目前常见的MCU的工作电压大多为2.7V~5.5V,可以使用高阈值耗尽型MOSFET搭配限流电阻构成恒流源给MCU供电。
关于ARK(方舟微)产品在充电器上应用的说明
方舟微用于工控、汽车电子、物联网等领域的DMX(S)1072、DMX(S)4022E、DMZ1511E、DMD4523E等系列产品,以更优的特性代替传统电路中的JFET器件,特别适合对高电压、大电流电路的瞬态浪涌抑制、过压过流保护应用。产品满足宽温度范围、高防护等级、高抗振动性等要求,符合AEC-Q101标准,性能完全达到甚至超过国外同类产品.
浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护(2)
近年来,耗尽型MOSFET(Depletion-Mode MOSFET)日益受到重视,广泛应用于固态继电器(NC继电器)、“常闭”开关、恒流源、恒压源和开关电源等设备中。本系列文章中方舟微将为大家浅析耗尽型MOS在变送器AD421中的供电与保护。
解析耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势
耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势,包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。在稳压应用中,耗尽型MOSFET具有简化电路设计和宽泛的直流工作电压范围等优势;在过压保护应用中表现出色,既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求,又能有效抑制电路浪涌,为PWM IC提供过压保护。
【元件】新品!优恩半导体推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件
在当今高度集成化、小型化和智能化的电子产品市场中,EOS/ESD静电放电防护已成为确保产品稳定性和可靠性的关键因素。随着USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的广泛应用,EOS/ESD现象对电子产品的威胁日益加剧。优恩半导体推出面向高速数据接口的EOS/ESD静电保护器件。
电子商城
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论