【应用】1200V SiC MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率

时间： 2022-05-18 来源：世强

技术问答

车载充电机的技术发展趋势是更高的功率密度和更小的体积，功率从3.3kW、6.6kW，逐渐提高到11kW、22kW。第一代半导体材料采用的是Si、Ge，不适用于高压场景；第二代半导体采用GaAs砷化镓、InP磷化铟，主要应用在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面；第三代半导体：GaN、SiC、ZnO、金刚石、氮化铝等宽禁带半导体，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，适用于高压、高频、高温等场合。

某客户在车载充电机项目中需求一款1200V/40毫欧，TO-247封装的（SiC）MOSFET来提高电源系统转换效率；本文推荐国产品牌爱仕特的碳化硅（SiC）MOSFET ASC60N1200MT4。如下图一为车载充电机主功率电路框图。

图一车载充电机主功率电路框图

车载充电机主功率电路是交流输入，通过图腾柱PFC、全桥LLC和全波整流后输出直流电给汽车电池充电。由于Si基芯片已接近摩尔定律的极限，提升有限；PFC、LLC、全波整流采用全SIC方案。用SiC材料生产出来的MOS具有更低的导通的电阻和更快的开关速度，这样有效地降低了电能转换过程中的能量损耗，并且更容易实现小型化，更耐高温高压。

国产品牌爱仕特的碳化硅（SiC）MOSFET在充电桩、公交大巴、电机控制器、车载充电机上有大量成功应用案例，该产品ASC60N1200MT4采用主流封装TO247-4L，耐高压1200V，Ron 40毫欧，工作温度-40℃~150℃，SiC MOSFET ASC60N1200MT4导通电阻电阻低至33毫欧，能有效降低器件的热损耗，进一步提高车载充电机的效率。产品性能稳定，通过车规级的可靠性测试，要做定期批次抽检，甚至出货前的老化。如下图二为（SiC）MOSFET ASC60N1200MT4电特性曲线图。

图二 ASC60N1200MT4电特性曲线图

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选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

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选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

中电国基南方SiC MOSFET选型表

中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。

产品型号	品类	VDSS(V)	RDS(on)(mΩ)	GEN	Drain Current(A) TC=25℃	VGS(th)(V) (Typ.)	Gate Charge Total(Qg)(nc)	Total Power Dissipation(PTOT)(W)	Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )	Package	质量等级
WM2V020065K	SiC MOSFET	650V	20mΩ	G2	92A	2.6V	187nc	312W	175℃	TO-247-3	车规级

选型表 - 中电国基南方立即选型

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

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随着新能源市场进入高速发展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封装技术也需持续进步。随着下游市场的多样化需求增长，功率分立器件封装产品也逐渐向定制化和专业化方向发展，扬杰科技推出了一系列TOLL封装的SiC MOSFET产品,非常适合大功率、大电流、高可靠性等应用场景的需求。

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鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务

鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。

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【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，内置陶瓷片优化绝缘和导热性能，为高效能应用提供新选项

爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。

产品发布时间 : 2024-09-29

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

产品发布时间 : 2024-05-25

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

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