【经验】桥式电路SiC MSOFET驱动电压尖峰产生原理和对策
ROHM的SCT2080KE和SCT2160KE系列的SiC MOSFET,主要参数见下表,常用于桥式电路设计。
桥式电路设计时,在SiC MOSFET开关设计上,不仅会发生栅极电压正电压尖峰,也会发生负电压尖峰,这些尖峰会引起SiC MOSFET应用时误导通和超规损坏等问题。
通过图1的SCT2080KE搭建的桥式回路的测试,回流侧均有正负电压尖峰现象。
图1
开关侧开通和关断时,回流侧的正负电压尖峰的产生和对策
1、开关侧开通时,回流侧正负电压产生原理和对策
(1)开关侧开通时,回流侧负电压的产生原理和对策
产生原理:图2所示
图2
在回流侧的SiC MOSFET,会有回流电流流动,此时体二极管状态为ON,D-S间有-VF的电压。开关侧开通,流向开关侧的电流急剧增加。回流侧的源极L成分在电流急剧减小的同时会产生自感应电动势(自感应电动势电压V=Ldi/dt)。由于该自感应电动势的出现,L_trace的影响将会变大。L_source和L_trace的电位为正,因此栅极会有负电压尖峰出现(图3)。
图3
对策:
在GS之间,SiC MOSFET靠近门极的位置增加一个SBD,将负电压尖峰钳住。还可以通过切短封装引脚或者减小源极布线面积方式来减小L_trace的影响。
(2)开关侧开通时,回流侧正电压的产生原理和对策
产生原理:图4所示
图4
开关侧开通时,回流侧的SiC MOSFET的体二极管开始进入关断的时间段。回流侧的SiC MOSFET的VDS电压上升。此时,节间电容Cds的电流从漏极到源极方向流动。同时,Cgd的充电电流流经栅极回路,方向是Cgd→Rg_int→Rg_ext,Rg_ext产生正向压降,造成正方向电位变动,产生正电压尖峰(图5)。
图5
对策:
在GS间添加节间电容Cgs_ext减小栅极阻抗。Cgs_ext选择共振点在数十MHz附件的MLCC最合适。另外也可以通过减小Rg_ext进行优化。
2、开关侧关断时,回流侧正负电压产生原理和对策
(1)开关侧关断时,回流侧负电压的产生原理和对策
产生原理:图6所示
图6
开关侧关断,回流侧SiC MOSFET的体二极管开始开通,回流侧的SiC MOSFET的Vds电压在下降。此时,Cgd的放电电流流经栅极,放电电流由Cgd→Rg_ext→Rg_int流动,Rg_ext的端子间产生电压降,造成负方向电位变动,产生负电压尖峰(图7)。
图7
对策:
在GS之间增加SBD,对负电压尖峰进行钳位。
(2)开关侧关断时,回流侧正电压的产生原理和对策
产生原理:图8所示
图8
开关侧关断,回流侧的Sic MOSFE会有回流电流流动,此时体二极管状态为ON,DS之间有-Vf电压。在开关侧关断时,流向开关侧的电流急剧减小,回流侧的源极的L成分在电流急剧增加的同时会产生防碍电流增加的自感应电动势(V=Ldi/dt)。由于自感应电动势的产生,L_trace受到很大的影响。L_source和L_trace的电位为负,此时栅极会出现正电压尖峰(图9)。
图9
对策:
在GS间添加节间电容Cgs_ext减小栅极阻抗。Cgs_ext选择共振点在数十MHz附件的MLCC最合适。还可以通过切短封装引脚或者减小源极布线面积等方式来减小L_trace的影响。
以SCT3030AL为例:
基于Vgss负压的规格才-4V,桥式电路在负压处理和不做处理的效果差异是非常明显的。
①不做处理:负压高至-11.09V
②增加齐纳二极管做钳位处理:负电压为-4.584V
③增加SBD抑制电压尖峰:负电压为﹣0.797V
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