【技术】解析功率MOSFET在光伏优化器中可能出现的失效模式
光伏功率优化器采用独特的软件算法,能实时追踪到单块组件的最大功率点(Maximum Power Point),用户可根据光伏系统的实际运行状况,选用不同类型的功率优化器,来解决因阴影遮挡、组件朝向差异或组件衰减不一致所造成的光伏系统发电量降低的问题,实现单块组件的最大功率输出和在线监控,提升系统效率。
MOSFET在光伏优化器中可能出现的失效模式包括以下几种:
1、功率MOSFET过热:如果功率MOSFET长时间工作在高负载下,可能会导致器件温度过高,超过其额定温度范围,从而失效;
2、粗糙开关:当功率MOSFET开关频率较高时,可能会出现开关过程中由于器件内部电荷积累的不足而导致的电流间断或闪烁现象,这称为粗糙开关。长时间的粗糙开关操作可能导致MOSFET失效;
3、阻尼振荡:当光伏优化器中出现电感电容组合产生谐振时,可能会导致功率MOSFET出现阻尼振荡。这种振荡可能在开关过程中产生过高的电压或电流,并导致MOSFET失效;
4、电蚀或击穿:如果在器件中电流或电压超过MOSFET的额定值,可能会导致电蚀或电击穿现象,使得MOSFET失效;
5、其他因素:包括温度循环、震动、湿气和粉尘等环境因素,也可能对功率MOSFET的可靠性和寿命产生影响。
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型号- 30V-050,YAZ1P5D47,25D301K,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,ESDLC24VD8B,3R075L-8X10,HLT9P04C,HLS150N30K,YAZ1P5D51,5.0SMDJ170A,P8SMB120CA,16V-110,15KP58A,SMD1206-351,YAZ1P5D3V3,ESDLC15VD3B,YAZ1P5D3V6,RS3BBF,YAZ1P5D56,5D361KJ,HLS135N100,P8SMB13CA,YAZ1P5D3V9,HLS80R1K5,SMDJ78CA,HLP9N90,ES2JBF,ESDLC8V0D3B,S2MB,1812 SERIES,PGB0603-05,YC2M2012B121GBE,YAZ1P5D62,Y1ZP35D43G,HLS80R1K1,10D560KJ,SMCJ14CA,5D121KJ,P8SMB60A,S2MF,YAZ1P5D68,HLT30P55,HLS70N40K,HLP9N80,30V-075,5.0SMDJ85A,PGB0603-12,SMCJ100CA,SMBJ300A,YAZ1P5D75,5KP30A,HLS55N100PF5,SMF120CA,SMBJ150CA,16V-135,SMDJ170A,SMAJ70A,33D-7,250V SERIES,HLP9N70,33D-5,PGB0603-24,HLT9P03C,SMDJ58A,33D-9,HLG3401A1N,32D122K,SA48CA,SMCJ30A,YAZ1P5D82,ESD12VAP,HLP2P06C,10D-11,HLP14N80,SA180A,10D-13,10D-15,15KP54A,20D781KH,20D781KJ,15KP120CA,YAZ1P5D91,SA22CA,P6KE8.2CA,SMAJ100A,16V-160,5.0SMDJ170CA,SA110CA,HLS60200K,ESD12VD3,HLT30P10,SMDJ54A,10D680KJ,SMD1210-150-6V,SMDJ160CA,3KP14CA,SMBJ400CA,5KP SERIES,SMF36CA,ESD24VAP,ESD12VD8,ESD12VD5,7D220KJ,P6SMB51CA,ESD12VD9,10D K 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型号- MF52□□□4000,MF52□□□3270,MF52□□□3950,MF72,NTC12D-15,NTC20D-11,NTC5D-7,NTC10D-9,NTC33D-9,NTC12D-13,NTC20D-13,NTC5D-5,NTC33D-7,NTC6D-20,NTC10D-5,NTC10D-7,NTC4D-11,NTC1.5D-25,NTC4D-13,NTC12D-11,NTC20D-15,NTC5D-9,NTC2.5D-11,NTC□D-5,NTC2.5D-13,NTC□D-7,NTC50D-9,NTC□D-9,MF52□□□3600,NTC47D-13,NTC47D-15,NTC8D-20,NTC8D-9,NTC8D-7,NTC10D-15,NTC22D-11,NTC30D-9,NTC8D-25,NTC10D-13,NTC10D-11,NTC16D-20,NTC7D-15,NTC7D-13,NTC15D-13,MF52□□□4500,NTC15D-15,NTC60D-9,NTC12D-9,NTC12D-7,NTC60D-5,MF58502F3650E,NTC5D-15,NTC5D-13,MF52□□□3380,NTC5D-11,NTC60D-11,NTC3D-25,NTC30D-11,NTC30D-13,NTC30D-15,NTC1.5D-15,NTC1.5D-13,NTC5D-20,MF52□□□3470,NTC5D-25,NTC20D-9,NTC3D-15,NTC3D-13,NTC□D-15,NTC□D-11,MF52A103G3380E,NTC□D-13,NTC0.7D-20,NTC3D-20,NTC0.7D-25,MF52□□□4050,NTC□D-25,NTC3D-11,NTC□D-20,NTC4D-9,NTC22D-7,NTC22D-9,NTC16D-9,NTC16D-7,MF52□□□4300,MF52,NTC50D-11,NTC8D-11,NTC33D-11,NTC8D-13,NTC10D-25,MF58,MF72系列,NTC8D-15,NTC16D-13,NTC16D-15,NTC10D-20,NTC16D-11,NTC3D-9,MF52□□□4150,MF52□□□3100,NTC6D-13,NTC12D-25,NTC6D-9,NTC6D-15,NTC6D-11,NTC12D-20
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描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器(ET-PA)等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队,公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项,另有67余项专利正在受理中,其中包含9项国际专利。
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN
音特电子气体放电管选型表
音特电子气体放电管选型表提供以下参数,DC Spark-over Voltage 100V/s:75V~3600V;Impulse Spark-over Voltage 1KV/µs:300V~3600V;Nominal Impulse Discharge Current 8/20μs:0.5KA~10KA.
产品型号
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品类
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Minimum Insulation Resistance Test Voltage
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Maximum Capacitance 1MHz
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DC Spark-over Voltage 100V/s
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Nominal Impulse Discharge Current 8/20μs
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Impulse Spark-over Voltage 1KV/µs
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Minimum Insulation Resistance
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Impulse DischargeVoltage 10/700 uS
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SMD1206-091
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气体放电管
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50V
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0.3pF
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90V±30%
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0.5KA
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<750V
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1000MΩ
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4KV
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选型表 - 音特电子 立即选型
音特电子(Yint Electronics)自恢复保险丝(PPTC)选型指南
描述- YINT提供的正温度系数聚合物(PPTC)作为一种过流保护器件,可以减少保修,维护和维修成本。是异常过电流频繁区域设备或者高可靠性设备的理想选择。常被应用在消费电子,电源线,电信,I/O口,过程控制和医疗设备。
型号- 30V-050,SMD1206-005,250V-145,SMD0805-035,30V-600,1210,0805,72V-300,16V-110,16V-1000,SMD2920-300,SMD1206-110,SMD1812-075,SMD0603-100,6V-090,30V-185,SMD0805-020,16V-800,1812 SERIES,16V-120,SMD1210-110,SMD1812-160,SMD1206-100,600V-110,60V-300,250V-800,30V-075,1206 SERIES,SMD0805-010,250V-120,30V-500,6V-075,16V-250,16V-135,SMD2920-200,16V-1100,SMD1812-050,250V SERIES,SMD2018-100,16V-700,SMD0805-125,6V-185,600V,60V SERIES,250V-1400,SMD2920-075,72V-075,30V-135,SMD1812-300,30V-250,60V-005,250V-500,SMD0805-110,30V-800,60V-010,SMD2018-150,60V-250,SMD2018-030,16V SERIES,250V-060,72V-500,600V-060,2920 SERIES,250V-180,0603,1812,16V-1200,SMD1206-150,SMD1206-035,SMD2920-185,16V-160,60V-135,60V-375,60V-017,16V-600,SMD0805-100,60V-020,SMD1206-020,600V-030,SMD1206-025,6V-160,2018 SERIES,250V-600,72V-090,16V,2920,30V-700,60V-110,250V-040,600V-160,72V,600V-040,60V,30V-160,SMD1206-010,SMD1206-012,SMD2018,30V-040,16V-500,2018,250V-050,16V-185,600V-150,600V SERIES,250V-1200,72V-030,SMD0603-075,SMD2920,6V-135,60V-050,250V-300,6V-250,SMD2920-150,16V-075,SMD2920-030,72V-025,250V-2000,SMD1206-075,72V-040,SMD1812-110,16V-1400,72V-160,SMD1812-350,1210 SERIES,0603 SERIES,16V-400,6V-120,60V-065,60V-185,SMD1210-075,SMD2920-260,SMD1812-200,16V-090,72V-050,60V-025,30V-110,SMD0603-050,250V-400,30V-900,SMD2018-050,6V-110,60V-030,SMD2920-050,250V-080,600V-080,72V-185,72V-065,SMD0603,SMD1812,60V-160,60V-040,SMD1210-050,250V-1000,SMD1206-050,250V-090,16V-300,SMD1206-200,72V SERIES,30V-090,72V-110,SMD1812-260,SMD0603-035,SMD1812-020,SMD0805-075,6V SERIES,30V-400,0805 SERIES,SMD1210-020,30V,60V-090,600V-200,SMD1812-150,SMD0603-025,SMD1812-030,SMD2920-100,30V-300,SMD0603-020,SMD2018-200,250V-1500,250V-110,30V SERIES,SMD1210-150,SMD1210-035,250V,SMD1210-005,72V-250,72V-375,72V-010,SMD0603-010,SMD1812-125,SMD1206,60V-500,250V-200,60V-075,72V-005,SMD2920-250,SMD0805-050,SMD1812-010,SMD2920-125,72V-020,SMD0805,30V-200,SMD1812-014,1206,SMD1210,16V-900,72V-135,SMD1210-010,72V-017
【应用】音特电子为PEPS系统电路提供TVS保护方案,车规级产品满足控制器及智能钥匙需求
音特电子根据多年在汽车电子电磁兼容的经验,结合自身车规级产品的优势,对PEPS系统车载基站(车载基站)和定位标签(智能钥匙),提出综合保护方案,供用户设计参考。
应用方案 发布时间 : 2023-05-22
音特电子25D系列压敏电阻选型表
音特电子25D系列压敏电阻选型表提供以下参数,压敏电压:200~1400V;最大允许使用电压AC:130~1200V;最大允许使用电压DC:170~1450V;最大限制电压:340~2970V;静态功率:1W。
产品型号
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品类
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压敏电压V1mA(V)
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最大允许
使用电压AC(V)
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最大允许
使用电压DC(V)
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最大限制
电压V-5A(V)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs Imax(A)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs In(A)
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静态功率(W)
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能量耐量10/1000 µs(J)
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最大能量 (Joule) 2ms
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静态电容量(参考值)1KHz(pf)
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25D201K
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压敏电阻
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200(185~225)
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130
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170
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340
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20
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10
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1.0
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125
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2.4
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2400
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选型表 - 音特电子 立即选型
【产品】汽车级功率MOSFET P140LF4QNK、P105LF4QNK,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用
P140LF4QNK、P105LF4QNK是ShinDengen推出的沟槽型功率MOSFET,体积小重量轻,符合AEC-Q101标准和ISO/TS16949标准,最大漏-源电压均为40V,最大漏极直流电流分别为140A和105A,适合车载水泵、EPS和辅助电机等应用。【世强硬创沙龙2019】
新产品 发布时间 : 2018-12-30
功率涵盖200W~15000W!TVS瞬态抑制二极管制造商音特电子授权世强硬创代理
音特电子授权世强硬创代理旗下ESD静电保护元件、PPTC自恢复保险丝、TSS半导体放电管、SBR肖特基二极管等产品,其中,TVS瞬态抑制二极管作为主推产品之一,功率涵盖200W~15000W!
签约新闻 发布时间 : 2023-04-21
音特电子32D系列压敏电阻选型表
音特电子32D系列压敏电阻选型表提供以下参数,压敏电压:200~1800V;最大允许使用电压AC:130~1000V;最大允许使用电压DC:170~1465V;最大限制电压:340~2970V;静态功率:1.2W。
产品型号
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品类
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压敏电压V1mA(V)
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最大允许
使用电压AC(V)
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最大允许
使用电压DC(V)
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最大限制
电压V-5A(V)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs Imax(A)
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通流容量1.2/50μs&8/20μs In(A)
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静态功率(W)
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能量耐量10/1000 µs(J)
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最大能量 (Joule) 2ms
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静态电容量(参考值)1KHz(pf)
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32D201K
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压敏电阻
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200(185~225)
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130
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170
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340
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25
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15
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1.2
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210
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1.2
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4200
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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