【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列,采用TO-3PF封装

2020-05-09 ROHM
N沟道功率MOSFET,R60xxKNZ,R6015KNZ,R6020KNZ N沟道功率MOSFET,R60xxKNZ,R6015KNZ,R6020KNZ N沟道功率MOSFET,R60xxKNZ,R6015KNZ,R6020KNZ N沟道功率MOSFET,R60xxKNZ,R6015KNZ,R6020KNZ

R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET,型号分别包括R6015KNZR6020KNZR6024KNZR6030KNZR6035KNZ五个型号,连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,对环境友好,采用TO-3PF封装,适用于开关应用。

图1   R60xxKNZ系列的产品图


R60xxKNZ系列的结温均为150℃,工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃,可应用于极端的温度环境。该系列产品的单脉冲雪崩电流和雪崩能量较高,可有效的避免瞬时大电流给器件带来的损害。热阻较低,散热性能较好,漏源导通电阻较低,产品自身的损耗较少。具体的参数如图。

图2   R60xxKNZ系列的电气参数


R60xxKNZ系列的特点:

低导通电阻

开关速度超快

易于并联使用

无铅电镀,符合RoHS标准


R60xxKNZ系列的应用:

开关应用

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由一号演员翻译自ROHM,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX,导通电阻最大仅0.83Ω

R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET,产品漏源电压为600V,连续漏极电流高达±6A,耐压能力强。产品易于并联使用,具有低导通电阻和快速开关的特点,R6006KNX的栅源电压为±20V(静态)或±30V(交流,频率>1Hz),可承受单脉冲雪崩电流为1.1A,可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。

2019-10-27 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX,导通电阻最大仅0.39Ω

R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET,产品漏源电压为600V,连续漏极电流高达±11A,耐压能力强。产品易于并联使用,具有低导通电阻和快速开关的特点,可用于开关类应用。

2019-11-16 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ,导通电阻最大仅0.234Ω

R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V,连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET,产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,具有快速反向恢复时间,快开关速度,低导通电阻的特点,适用于开关类应用。

2019-07-20 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08,最大漏源导通电阻为4mΩ

BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,导通电阻小、低栅极电荷,适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。

2022-04-27 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q,可实现低导通电阻和快速开关性能

铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于各种电源应用。

2023-06-04 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列,沟槽处理技术设计实现低导通电阻

铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET,采用沟槽处理技术设计,实现尽可能低的导通电阻,它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ(VGS=2.5V,ID=0.5A)。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。

2022-01-07 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD,导通电阻低至9mΩ

AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET,实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装,为设计者提供了一种极为高效的器件,可广泛用于各种电源应用领域。

2022-04-26 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP30N03K,具有超低导通电阻和高ESD能力

铨力半导体推出一款基于先进沟槽技术设计出的N沟道功率MOSFET——AP30N03K,采用TO-252-2L封装,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,可广泛应用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用。

2023-05-04 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ,适用于开关应用

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ,漏源电压为200V,导通电阻最大值为55mΩ,持续漏极电流为±45A(Tc=25℃),耗散功率(Tc=25℃)为211W。采用TO-263S封装形式,可用于开关应用。

2022-04-14 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】ROHM低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS6R035BH,漏源电压最大值为150V

RS6R035BH是ROHM推出的一款具有低导通电阻的N沟道功率MOSFET。在Ta=25°C条件下,其漏源电压最大值为150V,连续漏极电流(VGS=10V)最大值为±35A(*1),单脉冲雪崩电流最大值为18A(*3)。

2022-09-19 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】国产双N沟道功率MOSFET RUH30D18H,适用于电源管理、开关应用和负载开关等

锐骏半导体RUH30D18H是一款双N沟道功率MOSFET,漏源电压为30V,持续漏极电流为18A(Ta=25℃,VGS=10V)。具有低导通电阻和开关速度快等特性,可应用于电源管理、开关应用和负载开关等。

2022-04-03 -  产品 代理服务 技术支持 批量订货

【应用】国产N沟道功率MOSFET RUH1H80M应用于电焊机,漏源电压为100V,持续漏极电流为80A

电焊机上面为了把频率低的的交流整流为直流,然后用场效应管把这个直流开关成高频的交流信号,然后通过变压器变压,再整流成直流。本文推荐国产N沟道功率MOSFET RUH1H80M应用于电焊机,漏源电压为100V,持续漏极电流为80A。

2022-09-14 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP,适用于高电压、快速开关应用

CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET,导通电阻典型值为2.2Ω,最大值为2.7Ω,典型值Qg(tot)为17.4nC。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装,专为高电压,快速开关应用而设计,如功率因数校正(PFC),照明和电源逆变器。

2018-06-17 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】60V/80A N沟道功率MOSFET BLM08N06,采用先进的沟槽技术,漏源导通电阻<8.0mΩ

BLM08N06是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET, 漏源电压VDS=60V,连续漏极电流ID=80A,漏源导通电阻RDS(ON)<8.0mΩ(VGS=10V),采用先进的沟槽技术,适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源。

2022-05-12 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65,规格4A/650V,开关速度快且栅极电荷低

Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET,采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性,适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等。

2022-08-20 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:¥21.9067

现货: 450

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:¥30.2896

现货: 450

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:¥42.5261

现货: 450

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥21.1731

现货: 30

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥26.9579

现货: 30

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥2.4531

现货: 100

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.3640

现货:196,984

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4360

现货:70,020

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4080

现货:58,195

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.3406

现货:31,360

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.8100

现货:27,370

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.4800

现货:20,200

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.8920

现货:15,203

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.3760

现货:15,000

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥0.3080

现货:11,726

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥2.8000

现货:10,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面