【经验】如何利用碳化硅器件降低特定的系统成本？
碳化硅 (SiC) 的性能突出，这使得它在多种应用场景中成为可再生能源系统和电动车辆的逆变器等功率半导体器件的一种非常有用的材料。然而，SiC器件的具体成本 ($/cm²) 高于并将持续高于硅 (Si) 器件，虽然这种成本比率在未来可能会出现变化。因此，我们不仅有必要从紧凑布局和更高功率密度 (kW/kg、kW/l) 方面去考虑降低成本，还需要最大限度地减少半导体的支出。多芯片包装和基板技术在这方面起到主要作用。本文中ROGERS将说明如何利用碳化硅器件降低特定的系统成本。
功率密度取决于开关频率
电容器、电感器和变压器等无源元件在电源转换器单元 (PCU) 的总重、体积和成本方面占到较大的比例。当电力半导体器件在较高的开关频率下运行时，可减小这些元件的尺寸，也可以在 SiC MOSFET 晶体管中实现这一点，这是因为这些晶体管不会产生尾电流，可以达到非常低的转换能量。因此，开关损耗主要取决于开关时间。
较快的开关速度在系统中有多方面的限制，因为它会：
受寄生电容耦合的影响，影响驱动电路
受变换路径中寄生电感的影响，在断开时产生过压
受栅电压的寄生漂移的影响，造成意外接合
缩短电机和变压器等元件中绝缘材料的使用寿命
对系统的电磁兼容性产生不利影响。
虽然 SiC 器件可以达到较高的开关速度，但芯片布局、芯片组件、互连技术以及覆铜陶瓷基板，可能会对系统的寄生电感和耦合电容产生影响。因此，为利用这些器件的特性，对芯片包装进行优化是很重要的。
功率密度取决于散热
冷却回路是占系统总重量、体积和成本的另一大比例。通过增加从芯片到冷却剂的能量损失所需的热阻，可以实现减小尺寸。
第一种方法是提高芯片结温。硅功率器件的额定温度通常为 150°C 至 175°C，由于存在临界反向漏电流，因此它无法承受更高的芯片结温。相比之下，碳化硅MOSFET 等宽带隙器件可以在更高的芯片结温下工作。在芯片结温高达 250°C 时实现最佳器件利用率，以避免随着电流增加而发生热失控。在更高的温度下运行是可能的，但电流密度应该随之降低。这种较低的芯片利用率仅在环境温度极高的应用中才有意义。此外，在如此高的芯片结温下运行需要用于芯片连接的材料，互连和封装具有合适的耐温性以及它们各自的热膨胀系数 (CTE) 之间的更好匹配，以减少热机械应力。活性金属钎焊 (AMB) 氮化硅 (Si3N4) 基板在此类情况下具有出色的热性能和机械性能。
减少损失是另一种更有希望的方法。SiC 材料的高击穿场使具有薄漂移层的 MOSFET 结构能够降低芯片电阻。因此，可以减少传导损耗。即使损失的轻微减少也会导致热阻的显著增加。对于现有高效率水平和高额定功率的系统来说尤其如此。最终，可以显著节省散热器和功耗，以分别驱动风扇和泵以进行强制空气冷却和液体冷却。
芯片面积必须优化
考虑到系统中不同组件之间的成本分布可能因应用场景而有所不同，由于 SiC 器件的具体成本 ($/cm²)，冷却和无源组件方面实现的减小可能不足以补偿更高的芯片成本。因此，必须对芯片面积进行优化，以减少具体的系统成本 ($/kW)。这种优化可以是在相同额定功率下减小系统的尺寸，也可以是在相同的系统尺寸下提高额定功率。鉴于 SiC 器件具有较低的芯片电阻和较低的开关能量，因此在较高的损耗密度和快速的开关速度下运行系统，是减小芯片面积的最有效方法。这就需要更好散热。同样，具有高热导率和厚铜金属化层的活性金属钎焊 (AMB) 氮化硅 (Si3N4) 基板是支持在多种应用场景中广泛采用SiC器件的首选技术。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由伊哟翻译自ROGERS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利
为开发高质量的沟槽SiC MOSFET产品，昕感科技很早便开始先进沟槽型技术的布局，已形成沟槽型SiC MOSFET方案。目前已公开的先进沟槽型SiC MOSFET结构设计相关专利达到10项，其中9项已实现授权，专利文件中也都包含完整的电学仿真结果证明新结构的性能优越性，并附上完整的制造流程指导方案的实现。授权专利中的结构可以分为四大类，本文将给大家分别介绍其中的关键技术。
设计经验 发布时间 : 2024-07-09
【经验】基于SiC MOSFET设计的ANPC电路，其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析
Vincotech 碳化硅（SiC） MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求，可实现高集成度和高功率密度，但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC电路，介绍其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析。
设计经验 发布时间 : 2019-04-29
SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？| 视频
今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将着重为大家讲解什么是米勒现象？为什么驱动碳化硅MOSFET需要使用米勒钳位功能？以及基本半导体的创新性产品选型推荐。
设计经验 发布时间 : 2024-09-09
【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案
描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。
型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
【方案】高效率12kW组串式光伏逆变器优选元器件方案
描述- 本方案通过采用Vincotech的升压和逆变功率模块、Silicon Labs的电容隔离驱动器件及相关的产品，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高，同时能够提高系统稳定性和可靠性。
型号- EFR32MG13,SMBJ,SMAJ,LXS,C2M1000170D,SMDJ,MLX91210KDC,SMCJ,R5F562TAADFP,WDU,SI8235BD-D-ISR,TGARD500,EFR32FG,SMF,SLM152,SC92,SI86XX,V23990-P629-F73-PM,TGARD3000,10-FZ12NMA040SH-M267F,TGARD K52-2
【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
描述- 本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
型号- C4D10120D,T-FLEXHD300,SMBJ,BGM111,LXS,SMDJ,C2M1000170D,1812L,SLM750,SLM152,SC92,PS9402,TGARD500,30R,RBN40H125S1FPQ-A0,EFR32MG,PS9031,60R,LSIC2SD120E10CC,SMAJ,SMCJ,WDU,SMF,SI4438-C,WGM110,MKP,MLX91210,10-FZ12NMA040SH-M267F,2920L,BVS,EFM32JG,SGM2019
世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块
针对光伏发电系统逆变器，世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。
器件选型 发布时间 : 2018-06-02
【方案】20KW充电桩优选器件方案
描述- 20KW 充电桩的设计一般采用 ACDC+DCDC 的电路拓扑。充电桩防水防尘等级较高，要求达到IP54 等级。效率、体积、散热、通用性及可靠性设计将是充电桩的关键。充电桩经两年以上的市场验证后均体现失效率高的状态。碳化硅功率器件的高频、高效和损耗低的特性能完美的解决该问题。
型号- 92ML,P6SMB,SMBJ,C3M0065090D,SMAJ,SMCJ,TPSMB,2SK2225-80-E#T2,U9507C,TPSMA,SI827X,10-FZ071SA075SM02-L525L18,MLX91210,LSIC2SD120E20CC,C4D20120D,KSU60D60N,2SK2225
【方案】10kV高压变频器优选器件方案
描述- 本方案针对高压变频器功率单元，采用高性能整流桥模块、高可靠性的iDriver 驱动以及光纤收发器，高集成度的功率器件、模块化的封装以及高性能隔离驱动IC 可以帮助工程师设计出功率密度更高、可靠性更好的产品。
型号- 92ML,TFLEX HD300,C2M1000170D,TPCM780,FT05MHNR,RA-8565SA,ADP32F12A,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9402,28B0141-000,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,WM 4C,PD100MYN18,SID1152K,FR05MHIR,SID11X2K,28R1476-100
【方案】100kVA高效率APF优选元器件方案
描述- 本方案针对业内广泛使用的100kVA容量APF，主功率电路采用了I型三电平拓扑，提高了整机的开关频率（最高40kHz），功率器件采用Vincotech高集成度NPC IGBT模块以及Power Integrations高可靠性SCALE-iDriver驱动，辅助电源采用Littelfuse高耐压1700V的SiC MOS管，控制电路采用进芯电子高性能DSP。
型号- 30-FT07NIB300S502-LE06F58,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,PS9031-Y-V-F3-AX,SI8921BD-IS4,C2M1000170D,TPCM780,MLX91208LDC-CAV-000-RE,SMBJ18CA,28R1953-000,SC92,LSIC1MO170E1000,28R1101-000,28R0610-000,SID1182K,PS9402-V-E3-AX,ADP32F12A_150QP G,SI8621BD-B-IS,28R1476-100
【方案】高效率50KW组串式光伏逆变器优选元器件方案
描述- 本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC MOSFET和SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，利用新材料、新工艺、新技术拓扑设计实现更高的整机转换效率，提供更高的系统发电量。
型号- SMBJ,BGM111,SMDJ,C2M1000170D,TFLEXHD300,1812L,SLM750,SLM152,SI4438C,SC92,PS9402,MLX91208,TGARD500,TFLEX HD300,30R,EFR32MG,PS9031,LSIC2SD120E30CC,60R,30-FT12NMA160SH02-M669F28,TGARD 500,SMAJ,SMCJ,SMF,SI827X,WGM110,C4D30120D,PS9402-V-E3-AX,2920L,C2M0080120D,SGM2019,LSIC1MO120E0080
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，正在引领着未来能源转型的浪潮。今天，我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson，这个参数的优化，就像是在节能减排的长跑中，为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-11
解读SiC MOSFET关键参数——Vth
当代电子技术的发展不仅需要高效性能，还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件，我们要聊的是碳化硅MOSFET中另一个关键参数——Vth，这个参数不仅关系到器件的开启与关闭，还直接影响到器件的导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。本文解读SiC MOSFET关键参数——Vth ，希望通过本文的介绍，您能对SiC MOSFET的Vth有更深入的了解。
技术探讨 发布时间 : 2024-09-21
电子商城
现货市场
服务
使用FloTHERM和Smart CFD软件，提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务，热仿真技术团队专业指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可加工PCB层数：1-30层；板材类型：FR4板/铝基板/铜基板/刚扰结合板/FPC板/高精密板/Rogers高频板；成品尺寸：5*5mm~53*84cm；板厚：0.1~5.0mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论