【产品】SOT-723封装的无铅P沟道增强型MOSFET AP3139K，漏源电压最大额定值为-20V
铨力半导体推出一款采用SOT-723封装的P沟道增强型MOSFET——AP3139K，采用先进的沟槽技术，漏源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流最大额定值为-0.66A（Ta=25℃），无铅产品，ESD保护高达2.0KV（HBM），适用于接口开关、负载开关、逻辑电平移位等应用。
特点
漏源电压VDS=-20V，连续漏极电流ID=-0.66A
漏源导通电阻RDS(ON)<520mΩ@VGS=-4.5V（典型值430mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<700mΩ@VGS=-2.5V（典型值624mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<1200mΩ@VGS=-1.8V（典型值950mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
ESD保护高达2.0KV（HBM）
应用
接口开关
负载开关
逻辑电平移位
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3. 表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装
AiT推出的AM9435是P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。
产品 发布时间 : 2021-11-18
【产品】铨力半导体推出采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2714SD，功率和电流处理能力高
铨力半导体推出一款采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET——AP2714SD，具有高功率和电流处理能力，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理应用。
产品 发布时间 : 2023-04-29
【产品】诚芯微推出CX3419 P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有高功率和高电流处理能力
诚芯微推出的型号为CX3419的P沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-04-06
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论