【产品】DFN5* 6mm封装，100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。
图1.脚位图和功能图
最大额定值参数，25℃下的连续漏极电流74A。脉冲漏极电流高达260A。单脉冲雪崩能量为245mJ。耗散功率为83W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，温度适应性较好。结壳热阻为1.5℃/W，散热性能较好。25℃下，漏源导通电阻的典型值为6.5mΩ(VGS=10V)。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为40ns，产品响应快。
图2. 产品的部分电气参数
特点
高速电源开关，逻辑电平
较强的体二极管dv/dt能力
较强的雪崩强度
经过100％的UIS测试，100％的Rg测试
无铅，无卤素
DFN5* 6mm封装
应用
DC-DC转换
SMPS中的同步整流
硬开关和高速电路
电动工具
电机控制
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