【产品】采用Super Trench技术的60V/180A N沟道功率MOSFET RM180N60T2
丽正国际推出的一款N沟道功率MOSFET RM180N60T2，采用TO-220-3L封装，经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，由于极低RDS（ON）和Qg的组合，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。
在TC=25°C时，RM180N60T2可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为180A，漏极脉冲电流最大额定值为720A，最大功率耗散为220W，单脉冲雪崩能量最大额定值为1036mJ，工作结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻典型值为0.68℃/W。
产品特性
•VDS =60V,ID =180A
RDS(ON) <2.9mΩ @ VGS=10V（Typ:2.5mΩ）
•优秀的品质因数(品质因数=栅极电荷与导通电阻RDS(on)的乘积)
•低导通电阻RDS（on）
•150℃工作温度
•无铅电镀
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
应用领域
•DC / DC变换器
•高频开关和同步整流的理想选择
•无卤素应用
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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