【产品】超高开关频率、超低导通电阻的100V增强型氮化镓功率管INN100W02
英诺赛科公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。英诺赛科推出的增强型氮化镓功率管INN100W02，漏极-源极连续电压最大值为100V, 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。
INN100W02增强型GaN FET的特点：
•超高的开关频率
•超低的导通电阻RDS (on)
•快速且可控的下降和上升时间
•零反向恢复损耗
INN100W02增强型GaN FET的应用：
•同步整流
• D类音频放大器
•包络跟踪电源
•高频DC-DC转换器
INN100W02增强型GaN FET的主要电气特性(TJ=25℃，除非另有说明)
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本文由李涛翻译自英诺赛科，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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lgg Lv7. 资深专家 2020-08-07学习 -
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用户18396822 Lv8 2019-10-12太棒了 -
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沧桑岁月 Lv8. 研究员 2019-10-12学习
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