【产品】600V/±9A的N沟道功率MOSFET R6009ENX，具有地导通电阻、开关速度快等特点

时间： 2019-11-04 来源：ROHM

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罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6009ENX，具有开关速度快、低导通电阻和无铅电镀（符合RoHS标准）等特点，是开关应用领域的优秀选择。

图1 R6009ENX产品图及内部电路图

R6009ENX功率MOSFET漏源电压额定值为600V，连续漏极电流额定值为±9A（Tc=25℃），适合高压小电流的驱动应用。这款功率MOSFET的静态漏源导通电阻最大值仅为0.535Ω，导通损耗小且自身发热少。其栅-源漏电流I_GSS最大为±100nA，栅极阈值电压的最大值为4V，低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。

R6009ENX功率MOSFET耗散功率最大48W，可满足应用的较低功耗需求。其最大结壳热阻为2.6℃/W，有着极低的热损耗。工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，能够满足工业需求的环境温度。

R6009ENX功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

栅源电压（V_GSS）为±20V

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

R6009ENX功率MOSFET应用领域：

开关类应用

R6009ENX功率MOSFET订购信息：

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艾玛电子 Lv7. 资深专家 2019-11-05

学习

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