【产品】500V/3A的N沟道增强型MOSFET SFX3N50，采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装

2023-05-16 HI-SEMICON官网
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SFF3N50/SFD3N50是HI-SEMICON推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。


 

产品特点

VDS=500V，ID=3A

漏源导通电阻RDS(ON)：

    典型值：3.02Ω @VGS=10V  ID=1.5A

    最大值：3.3Ω

 

应用

功率因数校正（PFC）

开关电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

LED照明电源

 

绝对最大额定值参数（TJ=25℃，除非特别说明）:


电气参数   

注：

1.脉冲宽度受最大结温限制 

2.L=30mH，IAS=2.5A，VDD=100V，VG=10V，RG=25Ω，起始TJ=25℃

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.基本上与工作温度无关      

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产品型号
品类
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VDS[max] (V)
VGS(V)
ID[max](25℃) (A)
PD[25℃] (W)
VGS(th)[min] (V)
VGS(th)[max] (V)
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
Ciss(typ)(pF)
QG[typ](nC)
SFF7N65-Y
高压功率MOSFETs
TO-220F-3L
N
650
±20
50
62
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15.4
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