【产品】采用SiC MOSFET设计250KW三相逆变器评估套件，比同等IGBT逆变器损耗降低了80%

时间： 2019-04-01 来源：Wolfspeed

毫无疑问，在未来十年甚至更长间内电动汽车市场将成为功率半导体应用最大的市场之一。早期的混合动力汽车和BEV采用硅半导体器件应用于电机驱动、电池充放电等方面发挥了很好的作用，但是随着市场的发展，市场对产品的需求也不断提升，人们希望电动汽车能够有更长的续航里程、更轻的车辆、更低的成本。

传统硅半导体技术在效率和功率密度上的提升已经非常有限了，为了在这方面有更大的改进，WOLFSPEED 采用SiC MOSFET 替代硅IGBT开发了用于EV 驱动的250KW三相逆变器评估套件，该套件与同等IGBT逆变器相比损耗降低了约80%，重量和体积都更小。该套件重量不到16千克，体积为26.3升（长44毫米，宽39.8毫米，高15厘米），如图1所示。

图1 250KW三相逆变器评估套件

利用CAS系列功率模块的优化封装，Wolfspeed保持了模块的低重量、小体积、大功率、极低的寄生电感（低于7.5 nH）。评估套件以20 KHz 开关频率运行可在850-900 VDC总线上提供高达250 kW的连续功率。

将采用Wolfspeed 900V 10mΩ SiC MOSFET设计的250KW逆变器安装于实车，经过完整的EPA城市道路循环和EPA高速公路循环测试，测试数据表明，与同等IGBT逆变器相比损耗降低了约80%，逆变器损耗对比数据如图2所示。

图2 逆变器损耗对比数据

SiC的应用不是将来时，随着Wolfspeed 不断推出的SiC的解决方案，随着SiC产品解决了许多市场热切关注的应用需求，SiC的应用正在进行。

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