【产品】采用SO-8封装的双N沟道功率MOSFET DI005N06SQ2，漏-源电压60V
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI005N06SQ2的双N沟道功率MOSFET，器件采用SO-8封装，具有导通电阻低，开关速度快，栅极电荷低等产品特点。最大额定值参数方面，TA=25℃时，漏-源电压为60V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压为±20V，允许通过的漏极持续电流为5.0A@TA=25℃ ，漏极峰值电流为30A@tp<10μs。
当VGS=10V，ID=4.5A时，其漏源导通电阻典型值为28mΩ，最大值为40mΩ；当VGS=5V，ID=3.5A时其漏源导通电阻最大值为55mΩ，工作结温和存储温度范围均为-55℃~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业应用/工业应用等领域。
产品封装及尺寸图如下所示：
主要特征
支持双MOSFET功能特性
微型封装，可节省空间
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
同步整流器
商业应用/工业应用
机械参数
编带和卷盘包装：4000/13”
重量约0.1g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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产品 发布时间 : 2022-05-26
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
|
150
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N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
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1
|
10
|
10
|
10
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
Diotec Semiconductor AG COMPANY PROFILE
型号- DI035P02PT,ESD3ZW24,SUF4006,UF5407,BC817-40-Q,DI080N03PQ,DI075N04PT,DI035N10PT,MMBT7002K-AQ,DI020P06PT-AQ,DIT195N08,DIT120N08,BZX84C5V1,DI150N03PQ,MMBT2907A,DI080N06PQ-AQ,MM3Z12-AQ,DI4A7P06SQ2,MMBT7002K-Q,PWY8012,DI028P03PT,DI040P04PT-AQ,DI028N10PQ2-AQ,DI04P04D1-AQ,FR1M,DI0A35N06PGK-AQ,DI050P03PT-AQ,ZPD5.6,DI048N04,SK56SMC,LDP01-SERIES,BCR08PN-AQ,SKL34-Q,MD06P115-AQ,BAV21WS-Q,P6SMBJ36CA-AQ,P6KE200A,DI003N03SQ2,BAV99-Q,GBI10X,NUP2105L-AQ,DI048N04PQ2-AQ,BZX84C6V2,BZX84C5V1-Q,SKL14-AQ,BC846A-AQ,P4SMAJ58A,DI045N10PQ-Q,DI110N04,DI048N04PT-AQ,SK14,LDP02-30AYD2-AQ,DI100N04D1-AQ,BZX84C15-Q,BAV70-AQ,SK2045CD2-3G,DI040P04D1,6.6SM-SERIES,DI110N04PQ-AQ,MMFTP3334K,MMTL431A-AQ,MMBZ27CA-Q,LDI1117-ADH,MMFTP5618-Q,1N4148W,BZX84C12-AQ,MMFTN138,ESDB24C-Q,LDI1117-3.3U,DI038N04PQ2-AQ,DI2A70D1K,DI110N15PQ,BAT54,MM3Z15B-Q,BAV99,LDI1117-3.3H,BCX56-16-AQ,BAS40-05,4.6SM-SERIES,BAS40-06,ESDB24C-AQ,SK3060CD2,MMTL431A,BC817-40W,SKL14,MMFTN123,SK14-Q,P6SMB400A,SK34SMA-3G,P4SMAJ30CA-AQ,BZT52C3V3,MMFTP3401-AQ,SKL18,DI010N03PW,SK26,MMBTA06,SK24,BYG23T,SDB160WS-AQ,DI070P04PQ-AQ,DI015N25D1,P6SMBJ28A-AQ,P6SMBJ22CA-AQ,BC808-16,BAV70,MMFTP2319,DI7A6N04SQ2,BAS316WS-AQ,BC847-AQ,DI049N06PTK,DI045N03PT,MMFTP3401,BY880-1000,SKL34,P6SMBJ18CA-AQ,2SC2983,BAV99-AQ,DI068P04D1-AQ,3.0SMCJ14A-Q,LDP02-SERIES,SD3B24WS,MMSZ5245B,LDP01-26AYD2-AQ,USL1K,DI110N15PQ-AQ,PSW5012*,DIJ2A3N65,LDP01-42CAYD2-AQ,SK36SMA-3G,SI20C120D2,1N4148WS,MMBTA56,3G-Q,DIT95N08,SMF30A,LDP02-26AYD2-AQ,DIT095N08,BAT54A-Q,MM3Z15,DI020N06D1-Q,BAT54C,GBU6M,BAT54A,ES1D,MMBT7002K,P6SMBJ30CA-AQ,DI035P04PT-AQ,DI110N06D1-AQ,DIT90N06,SL1G-AQ,DI017N06PQ-AQ,PPH810-Q,LDP01-39CAYD2-AQ,P6SMBJ150A,ESW3012*,1N4148W-AQ,MMFTN138-Q,MD10P380,MMFTP6312D,DI050N04PT-AQ,BC857-AQ,DI050N06D1-Q,US1M-AQ,1N4148WS-AQ,UF4006,DI005P04PW-AQ,BC817-16-Q,US1J,LDP01-39AYD2-AQ,MMFTP6341KW,DI100N10PQ,KBPC10XX,DI280N10TL-Q,P6SMBJ18A-AQ,LDP01-28AYD2-AQ,US1M,ES1B,P6SMBJ33CA-AQ,SICW20C120,2CL71A,M7,PW4512,LDP02-39AYD2-AQ,DI005N06SQ2,P4SMBJ40A,KBPC25XX,BAS16-AQ,SKL16-AQ,SK210-AQ,DI008N09SQ,SDB14HS,P6KE480A,1N4007GP,BC817-40-AQ,MMTL431AR,SICW40C120,DIJ4A5N65,ESW6004,ESW6006,BZT52B20-AQ,DI025N06PT,SDB160WS,MM3Z5B1-AQ,MMBTA06-AQ,S1G,6.6SM8Z24A-Q,MMFTP84W,DI110N03PQ-AQ,DIT100N10,S1M,DI5A7N65D1K-AQ,LDP02-28AYD2-AQ,MMBT2222A,USXK,LDP02-42CAYD2-AQ,S1Y,PPH10100,FR1D,BAV199,3.0SMCJ33CA,DI006P02PW,MMTL431AR-Q,P6SMBJ15CA,MMFTP84K-AQ,GBI25X,SK310SMB,PPS5100-Q,BAT54S-AQ,SM2000,PPH10100-AQ,BAS21-AQ,DI045N10PQ,DI080N06,DI035N10PT-AQ
【产品】28A/100V的商业级双N沟道功率MOSFET DI028N10PQ2， 漏源导通电阻典型值低至15mΩ
Diotec推出型号为DI028N10PQ2的双N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6-2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点，其漏源电压为100V，栅源电压为±20V，耗散功率为32.7W，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业级应用等领域。
新产品 发布时间 : 2022-04-23
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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