【应用】国产英诺赛科的增强型氮化镓场效应管INN100W08适用于消费级激光雷达项目,脉冲电流高达50A

2022-05-10 世强
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激光雷达犹如人类的眼睛,是一种可以探测物体精确位置的传感器,其主要是通过对目标物发射激光信号,再根据从物体反射回来的信号时间差来计算这段距离,然后在发射激光的角度来确定物体和发射器的角度,从而得出物体与发射器的相对位置。现激光雷达的应用已经非常广泛,研发技术也比较成熟,有客户研发一款消费级激光雷达,产品大致框图如下:其中激光发射链路会用到激光二极管、超快响应的功率开关即增强型氮化镓场效应晶体管和驱动IC;接收端有APD雪崩光电二极管来将被测物反射回来的激光信号转为电信号,三极管用于信号放大,TDC是时间数字测量电路跟主控FPGA进行数据通讯。

                          

客户为了降成本想要一款国产的单管GaN,本文讲述英诺赛科的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),型号为INN100W08,耐压100V,具有超高开关频率、超低导通电阻、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点,脉冲电流高达50A,适合用于客户的消费级激光雷达项目。详细的产品主要参数如下所示:

由上可知,英诺赛科的INN100W08有以下几点优势:

1、脉冲电流高达50A,极短脉宽实现大电流,可驱动高功率激光二极管,实现较远距离测量;

2、典型导通电阻仅为15毫欧,能够减小导通损耗,提高效率;

3、极低的QG和零QRR,可以产生纳秒级别的激光脉冲和实现零反向恢复损失;

4、采用2X3 WLCSP封装,尺寸小至1.508x0.993 mm,占板面子很小,满足小型化设计需求。


综上所述,国产英诺赛科的这款增强型氮化镓场效应管适用于消费级激光雷达项目,并且供货好,性价比高!

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品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

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品牌:英诺赛科

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品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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千家代理品牌,百万SKU现货供应/大批量采购订购/报价

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

MCU烧录/Flash烧录/CPLD烧录

可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

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