【应用】国产英诺赛科的增强型氮化镓场效应管INN100W08适用于消费级激光雷达项目,脉冲电流高达50A
激光雷达犹如人类的眼睛,是一种可以探测物体精确位置的传感器,其主要是通过对目标物发射激光信号,再根据从物体反射回来的信号时间差来计算这段距离,然后在发射激光的角度来确定物体和发射器的角度,从而得出物体与发射器的相对位置。现激光雷达的应用已经非常广泛,研发技术也比较成熟,有客户研发一款消费级激光雷达,产品大致框图如下:其中激光发射链路会用到激光二极管、超快响应的功率开关即增强型氮化镓场效应晶体管和驱动IC;接收端有APD雪崩光电二极管来将被测物反射回来的激光信号转为电信号,三极管用于信号放大,TDC是时间数字测量电路跟主控FPGA进行数据通讯。
客户为了降成本想要一款国产的单管GaN,本文讲述英诺赛科的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),型号为INN100W08,耐压100V,具有超高开关频率、超低导通电阻、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点,脉冲电流高达50A,适合用于客户的消费级激光雷达项目。详细的产品主要参数如下所示:
由上可知,英诺赛科的INN100W08有以下几点优势:
1、脉冲电流高达50A,极短脉宽实现大电流,可驱动高功率激光二极管,实现较远距离测量;
2、典型导通电阻仅为15毫欧,能够减小导通损耗,提高效率;
3、极低的QG和零QRR,可以产生纳秒级别的激光脉冲和实现零反向恢复损失;
4、采用2X3 WLCSP封装,尺寸小至1.508x0.993 mm,占板面子很小,满足小型化设计需求。
综上所述,国产英诺赛科的这款增强型氮化镓场效应管适用于消费级激光雷达项目,并且供货好,性价比高!
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实验室地址: 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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