CISSOID， NAC与ADVANCED CONVERSION合作开发高功率密度SIC逆变器
2022年6月23日，高温半导体及功率模块领域的领先厂商CISSOID宣布与高性能电容器领域的领导者NAC Group和Advanced Conversion达成了合作关系，联合开发紧凑型、优化集成的3相SiC功率堆栈，结合CISSOID的1200V SiC智能功率模块及Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器。该功率堆栈可进一步与控制器板和液体冷却器集成，提供完整的硬件和软件平台来设计电机驱动用的高功率密度、高效率的SiC逆变器。
CISSOID的智能功率模块IPMs平台集成了一个3相1200V/340A-550A SiC MOSFET功率模块，该功率模块搭载了耐高温的门驱动器，可实现低开关损耗和高功率密度。平台可通过控制板和算法进一步提升性能，为电动车驱动器中SiC逆变器提供实时处理、控制和功能安全。该功率模块的电阻范围为2.53mOhms到4.19mOhms，具体取决于额定电流；在600V/300A条件下，总开关能量低至7.48mJ (Eon)和7.39mJ (Eoff)。协同设计功率模块及门驱动器有助于认真调试dV/dt，控制快速开关固有的电压过冲来优化IPMs，从而实现最低的开关功率能量。嵌入式门驱动器解决了与快速开关SiC晶体管相关的多项难题，包括：负驱动和有源米勒钳位（AMC）可防止寄生导通；去饱和检测和软关断（SSD）可对短路事件作出快速且安全的反应；门极驱动器和直流总线电压上的欠压锁定（UVLO）功能可监控系统的正常运行。
Advanced Conversion开发的6组直流支撑电容器可通过低电感母线机械地与CISSOID的IPMs平台相匹配。因此，一组电容器数值达500µF、额定电压值达900V的参考电容器即可实现快速评估的作用。先进的转换环形薄膜电容器为基础，还可提供定制化解决方案，该电容器很适合“表面安装”在与开关模块连接的优化总线结构上。这项与专有技术结合的总线冷却可以提供很高的每微法拉额定安培数，从而匹配尽可能小的电容，并且以最大限度去降低换向回路的电感。并且当使用正确的开关模块及合适的连接设计的时候，就可以很容易实现低于5nH的等效串联电感值。
NAC集团产品营销总监James Charlton表示：“对于使用快速开关的高功率逆变器来说，直流支撑是关键的器件，而这在设计的初始阶段经常被忽略。不过，高效、快速开关的宽禁带器件需要精心设计、紧密集成电容器的直流支撑总线拓扑结构。”NAC Group已与Advanced Conversion合作开发了一系列可匹配CISSOID功率模块一起使用的套件。CISSOID首席技术官Pierre Delatte表示：“得益于该电容器套件，客户能够快速找到匹配快速开关3相SiC IPMs平台的高性能电容器，加快逆变器设计，从而实现紧凑、高效的电机驱动。”
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唯创知音（waytronic）语音IC/模块选型指南
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型号- WTV380QFN32,WT2801,WT588,WT588SXX-16S,WT588F02B-16S,WTK6900H-CQFN,WT8509,WT1312,WT2800,WT5880D系列,WT588FXXB-8S系列,WT0034A,WTR,WT2000T-QFN32N,WTV-VSB,WTV,WT8871,WT588FXXA-8S,WTU,WT2000T系列,WT25Q128X-8S,WT2605X,WTN6040F-8S,WT2605系列,WT2003HXX-16S,WT2003HXX-32NQFN,WT系列,WTR096,WT2605X B02,WT2605X B03,WTK6900H-C系列,WT2003HXX-32N,WT2605X B04,WT588F02KD-24SS,WT2605X B05,WT2000T-52N,WTR096A-16S,WT-FLASH系列,WT2003,WT2605C,TV600,WT8623,WT2003系列,WT2605-24SS,WT2003H系列,WT2000T-QFN52,WTK6900H-M01,WT-FLASH,WTK6900F-C,WTVXXX-SOP8,WT2801系列,WT588FXXA-8S系列,WT2800系列,WT200,WT2003HX-32N,WT588E系列,WT2003HXX-24SS,WTK6900系列,WT2605X-24SS,WTK6900F-C-24SS,WT2605C-32N,WTR系列,WTK6900G系列,WTV系列,WT25QXX系列,WT2003HX-16S,WTR096系列,WT25QXX,WT588F02BP-14S,WT588F,WT2003HM16,WTVXXXB-QFN32,WT588E,WT25Q16X-8S,WTK6900G-M,WTK6900H-B系列,WT2605C-24SS,WTN6,WT2605X-32NQFN,WTVXXX-P,WTU201F2,WT588S,WTK6900F,WT588FXX-8S,WTK6900G,WTK6900H,WT8002,WT2801A-32N,WT2003HM05,WTVXXX,WT25Q,WT2003H,WTK6900H-24SS,WT2605C-QFN32,WT588FXXX-8S,WT2605,WT588F系列,WT2605C-32NQFN,WT2003HM01,WTVXXXB-SOP8,WT2000T-32NQFN,WT2003HM02,WT2003HX-24SS,WT2003HM03,WTV380,WT0031,WTK6900G-24SS,WT2000T-QFN52N,WTN6XX-8S,WTU系列,WT0035,WT2003H4,WT5880D,WT0033,WT2605C系列,WT0032,WT8673,WT588F02A-16S,WT2605D-24SS,WT2605B05,WT 系列,WT2605B04,WT2000T-52NQFN,WT2605B03,WT2605B02,WT2003HP8-QFN32,WTXXX,WTV890,WT2000T-32N,WTVXXX-8S,WT2003HX,WTR096A-24SS,WT0024,WT8302,WT0023,WT0022,WTVXXX8系列,WT0021,WTU609F4,WTK6900H-A,WT588FXXB-8S,WT588E02B-8S,WTVXXXM06,WTVXXX-VSB,WTK6900H-B,WTN6040FP-14S,WTK6900H-C,WTR096A-28SS,WTV600,WT588F02B-8S,WTN6系列,WT588FXXX-16S,WTU506F8,WT2605X-32N,WT588F02KD,WT2003H-16S,WTVXXX系列,WT25Q64X-8S,WTK6900H-C-24SS,WTVXXX8,WT2801A-24SS,WTVXXX-PQFN,WT25Q系列,WT4890,WT588S系列,WT25Q32X-8S,WT588系列,WTK6900,WT480,WT9110B,WTN6040F,WTV390,WT25Q128×-8S,WT2003HB01,WT2003HB02,WT2003HB03,WTN6XXX-8S,WT2000T,WT2605-16S,WT2003H-25SS,WT2000T-QFN32,WT2605D-32N
三相1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块CXT-PLA3SA12340A-初步数据表
描述- 本资料为CXT-PLA3SA12340A智能功率模块的初步数据表。该模块是一款集成SiC MOSFET开关器件和基于CIS-SOID HADES2®芯片集的门驱动器的三相1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块。它采用针翅式底板，适用于高功率密度水冷转换器，提供针对高温运行的SiC功率模块设计，最高结温可达175°C。
型号- CXT-PLA3SA12340A,CXT-PLA3SA12340AA
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术，提供IPM这种已整合的解决方案。
三相1200V/450A SiC MOSFET智能功率模块CXT-PLA3SA12450A-初步数据表
描述- CXT-PLA3SA12450A是一款集成功率开关和栅极驱动器的三相1200V/450A碳化硅(SiC) MOSFET智能电力模块。该模块采用针翅式底板设计，适用于高功率密度水冷转换器，可在高达175°C的结温下运行。它集成了门极驱动器，提供了一种经过验证和优化的解决方案，具有低开关损耗、高温操作和高功率密度的优点。
型号- CXT-PLA3SA12450A,CXT-PLA3SA12450AA
HI-SEMICON（深鸿盛）场效应管（MOSFET）选型表
目录- 中低压功率MOSFETs 高压功率MOSFETs 超结MOSFETs
型号- SFU6007T,SFP20N65,SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFF10N65R,SFD7N70,SFF4N60E,SFQ0320T4,SFM4009T,SFE6001T2,SFP20N60,SFK2N50,SFF60N06,SFM041R8T,SFD60N06,SFD2N50,SFP4N65,SFP33N10,SFP4N65E,SCP60R190C,SFP20N70,SFS3401,SFD4N60E,SFS3400,SFD6005T,SFD7N65E-Y,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SCA60R280C,SFM4N65,SFD1N65,SCP70R360C6,SFD3015T,SGA855R0T,SFP50N06,SCA65R540T,SCF65R640C,SFQ0322T4,SFU4N65E,SFF12N65,SFD6006T,SFD6N70,SGM10HR14T,SFQ0420T4,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3N50-P,SFN3009T,SCD60R360C,SFF6N70,SFU3006T,SCF65R1K15C,SFP9N20,SFF50N06,SFD6007T,SFF3N50-P,SFP10N60,SCF65R380C,SFP7N65E-Y,SCP65R380C,SCP60R280C,SFS4008T2,SFS2300,SFF7N65-Y,SCF60R280C,SFF13N50,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP10N70,SCD65R1K2C,SFM4010T,SFD3N50TS,SFF6007T,SCF80R500C,SCD80R500C,SFF2N50,SFD3012T,SFA3018T,SFF7N65,SCF65R310C,SFF7N65E-Y,SCD70R360C6,SFF6006T,SCK65R1K15C,SFD4N65E,SFF15N10,SFU4N65,SFF7N70,SFD4003T,SFU9N65,SFF6005T,SFD7N65-Y,SCP60R160C,SCA60R190C,SCF80R950C,SFK3N50,SCF55R2K7C,SFF12N65-Y,SFE3007T,SFP3006T,SFD5N50,SGM6005DT,SFF9N20,SGF15N10,SFP60N06,SFS2N10,SCF70R600C6,SFD4001PT5,SFP10N65-Y,SFF3N50,SFM4N65E,SCD65R125C,SCF65R125C,SFD4N70,SFP7N65-Y,SFF5N50TS,SFP6005T,SCP65R125C,SGM031R1T,SCF70R420C,SCD70R420C,SFP12N65-Y,SCP65R540T,SCF60R160C,SFD4N65,SFS2N7002,SFF3N50TS,SFF33N10,SCF70R360C6,SFS2302B,SFS2301B,SFD15N10,SFF20N60,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFS4606T,SFU4003T,SGD15N10,SFF9N50,SFD10N65-J,SFF4N65E,SFD4004PT,SFD9N65,SFF20N70,SFU10N65R,SCD55R2K7C,SFU6003T,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SFF9N65,SFP13N50,SCD70R600C6,SFU7N70,SCD65R380C,SFD5N50TS,SFAP4580,SFF10N60,SCD65R540T,SCP60R360C,SFF4N65,SFM0320T4,SCF65R1K2C,SCP80R500C,SGP855R0T,SFU6005T,SFD10N65R,SFD3N50,SFP12N65,SFU6N70,SFU4N60E,SFF4N70,SFF10N65-Y,SFF9N90,SGU15N10,SFM3011T,SFF16N65,SFP110N55,SFU6006T,SFP18N50,SFU15N10,SFF5N50,SFF10N65-J,SFN6004T5,SFP59N10,SFD9N20,SCF65R240C,SCD65R640C,SFM3012T,SFS5N10S,SFN0250T2,SCD65R1K15C
【产品】CISSOID推出新型液冷或风冷功率模块，可满足航空航天及工业应用对自然对流或强制风冷需求
CISSOID 最近发布了专为降低开关损耗或提高功率密度而设计的新型液冷或风冷功率模块，扩展了其三相碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块 (IPM) 产品系列。基于用于液冷的轻型针翅基板，或者是基于平坦基板，可以满足航空航天领域及专用工业应用中对自然对流或强制风冷的需求。
三相1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块CMT-PLA3SB12340A-初步数据表
描述- 本资料为CMT-PLA3SB12340A型3相1200V/340A碳化硅(SiC) MOSFET智能功率模块的初步数据手册。该模块集成了基于CISSOID HADES2芯片组的电力开关和栅极驱动器，采用轻质平板AlSiC基板设计，适用于高密度转换器，可在高达175°C的高结温下运行。它提供了低开关损耗和高温度运行的优点，以实现高功率密度。
型号- CMT-PLA3SB12340AA,CMT-PLA3SB12340A
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务；测试内容分Host主机层，Controller控制器层，Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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