【产品】两款低饱和压降、低开关损耗的600V沟槽栅IGBT,100℃最大集电极电流分别为30A、40A

2018-12-20 ROHM
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罗姆(ROHM)作为半导体、电子零部件的全球知名的半导体厂商之一,其利用沟槽栅、薄晶圆技术研发出了一种低饱和压降、低开关损耗的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)——RGCL60TS60DRGCL80TS60D。其采用TO-247N的封装方式,且达到无铅标准和RoHS认证,是一款绿色环保器件。另外,晶体管具有低集电极-发射极饱和电压、软切换的特点,同时内置了具有软恢复功能的快速恢复二极管。可应用于部分开关PFC、放电电路和变频器制动器等领域。


 

图1 RGCL60TS60D/RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管封装及电气原理图


RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的集电极-发射极电压VCES最大值均为600V,集电极-射极饱和压降VCE(sat)的典型值均为1.4V,器件易于驱动。在25℃时,集电极电流IC最大值分别48A、65A;100℃时,集电极电流IC最大值分别为30A、40A,在25℃下的功耗PD分别为111W、148W,产品适用于高压大电流的电力系统。另外,其工作结温范围为-40℃~175℃,存储温度范围在-55℃~175℃,能够耐受苛刻的温度环境,具有高电气可靠性和安全性。两款IGBT的结壳热阻Rθ(j-c)仅为1.34℃/W和1.01℃/W,器件热传导性能良好,为大功率应用提供良好的散热保障,有效降低冷却成本。

 

在IC=30/40A,VCC=400V,VGE=15V,RG=10Ω,Tj=25℃情况下,RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值分别为44ns、53ns,关断延迟时间td(off)典型值分别为186ns、227ns。具有开关速度快、切换速度高的使用优势。同时,其开通能量损耗Eon典型值仅为0.77mJ、1.11mJ,关断能量损耗Eoff典型值为1.11mJ、1.68mJ。开关损耗极少,开通和关断过程中的产热少,能量利用率高。另外,两款产品的栅极电荷总量Qg典型值为68nC、98nC,栅极-发射极电荷Qge典型值为13nC、20nC,栅极-集电极电荷Qgc典型值为27nC、38nC。电荷量低,开关充放电时间短。因此,产品具有更低的开关损耗和更高的开关速度,可用于需要高速切换的应用场合。

 

RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管特点:

·软切换

·低集电极-射极饱和压降VCE(sat):典型值1.4V

·内置快恢复二极管,具有软恢复功能

·达到无铅标准,通过了RoHS认证

 

RGCL60TS60D、RGCL80TS60D绝缘栅双极型晶体管应用:

·部分开关PFC

·放电电路

·变频器制动器

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  • 志成 Lv7. 资深专家 2018-12-20
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  • 行行摄摄 Lv7. 资深专家 2018-12-20
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ROHM(罗姆)IGBT选型指南(英文)

描述- ROHM's IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) contribute to higher efficiency and energy savings for a wide range of high voltage and high current applications.ROHM's IGBTs contribute to greater efficiency and energy savings in a variety of high-voltage, large-current applications, including electric vehicles (EVs), trains, air conditioners, portable welding machines, DC/AC inverters.

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW40TS65,RGW00TS65DHR,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,RGS50TSX2D,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGS60TS65HR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGWX5TS65DHR,RGTH00TS65D,RGT20NL65,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,RGTH40TK65D,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGW60TS65,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

选型指南  -  ROHM  - Edition 2022  - 2022/8/3 PDF 英文 下载 查看更多版本

650V Field Stop IGBT MSG40T65FL with High Speed Switching & Low Power Loss for PFC, UPS & Inverter Applications

This MSG40T65FL IGBT is produced using advanced MagnaChip‘s fieldstop trench IGBT technology, which provides high switching series and excellent quality. This device is for PFC, UPS & Inverter applications.

产品    发布时间 : 2024-01-12

ROHM IGBT products

型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D

商品及供应商介绍  -  ROHM PDF 英文 下载

【选型】只为卓越!Vincotech IGBT封装的独到之处

本文从芯片体结构,模块管脚、底板设计以及DCB板等方面分析Vincotech IGBT芯片的封装技术。

器件选型    发布时间 : 2017-01-20

数据手册  -  ROHM  - Rev.A  - 2023.06 PDF 英文 下载

【应用】罗姆第三代单管IGBT RGTV60TS65D用于空调PFC,VCE(sat)=1.5V、具有高速开关特性

空调主板通常安装在空调外机中,控制压缩机、风机等部分。夏季空调外机所处环境温度相对较高,同时外机散热片不断散发热量,主板工作环境相对恶劣。空调PFC上推荐罗姆第三代单管IGBT RGTV60TS65D,VCE(sat)=1.5V,拥有业界顶级的低导通损耗,且高速开关特性比第二代产品具有更低的开关损耗,能够有效降低产品发热量,降低PFC失效风险。

应用方案    发布时间 : 2020-08-21

数据手册  -  ROHM  - Rev.A  - 2023.06 PDF 英文 下载

在变频器的应用中,需要高集成功率模块,要求其内置包括三相整流,PFC,三相全桥逆变部分,电压大于1100V,电流大约70A,请推荐一个型号。

推荐功率模块V23990-P760-A60-PM,该模块内置包括三相整流,PFC,三相逆变部分,电压为1200V,电流为100A,满足设计要求。

技术问答    发布时间 : 2017-05-05

数据手册  -  ROHM  - Rev.A  - 2023.06 PDF 英文 下载

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