【应用】锐骏半导体P-Channel MOSFET RU30S15H应用于充电台灯，具有低导通电阻、无铅环保特点
充电台灯作为常用小家电，目前普及率很高。但由于体积相对较大、依赖固定电源无法断电使用等缺陷，限制了很多发展空间。近期台灯行业的种类也越发繁多，充电式台灯也陆续进入了市场。
其产品框图如下：
其设计中，需使用P-Channel MOSFET驱动LED。基于产品需求，本文推荐锐骏半导体的RU30S15H。其优势及特点如下：
1、低导通电阻：RDS（ON）=22mΩ（典型值）@VGS=-4.5V，有效降低损耗
2、符合RoHS规范，无铅环保器件
3、可靠坚固，稳定保证对LED的输出
其原理图与pin配置如下：
综上所述，锐骏半导体的P-Channel MOSFET RU30S15H具有低导通电阻、无铅环保、可靠坚固等特点，适用于充电台灯的应用。且作为国产品牌，性价比及供货方面相对有竞争优势。
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型号- RU1HE4H,RU8048S,RU1H140R,RU30E4B,RU1HE4D,RU8048R,RU4090L,RU6051K,RU140N10R,RU6099S,RU6075R,RU6051M,RU6099R,RU75110R3,RU30C30M,RU75400Q,RU70200R,RU2H35S,RU2H35Q,RU8048L,RU2H35R,RU1H130R3,RU306C,RU1HE3H,RU60E2B,RU75260Q,RU1Z150R,RU2H100Q,RU1H301Q,RU1Z150S,RU2H100R,RUH30140M,RUH3051L,RU3089L,RUH3051M,RU3089M,RU1H150S,RU3065L,RU65110R,RU1H150R,RU1H130Q,RU1H130S,RU20D40M3,RU1H130R,RU40231Q2,RU6085L,RU6085M,RU75150R,RU40130R,RU2H80R,RUH30120L,RU1H20H,RU75N08R3,RU1HT3H,RU70E4D,RU20P17M2,RU6085H,RU70E4H,RU65110R3,RU30230R,RU7088R3,RU16P8M4,RU3020H,RU1Z120R3,RU6050R,RU6050S,RU8590R,RU8590S,RU68130R,RU190N08R,RU190N08Q,RU6050L,RU190N08S,RU80N15Q,RU80N15R,RU7588R3,RU40120M,RU40S4H,RU80N15S,RU3568L,RU30231R,RU3520H,RU20P7C,RU3568R,RU80T4H,RU40E80L,RU7089R,RUH30D18H,RU30J30M,RU65R900P,RU40120S,RU40120R,RU65R900L,RU40E25L,RU30P5H,RU40121M,RU30E40L,RU1H7H,RU30C10H,RU205B,RU7088R,RU30J41M,RU40121R,RU40L10H,RU40230S,RU40230R,RU75240R,RU4089R,RUH1H20H,RU30P5D,RU2H30R,RU2H30S,RU8205G,RU4089L,RUH30120M,RU30160R,RU60120R,RU30P4H,RU3040M2,RU2H30Q,RU30D20H,RU60E25R,RU7588R,RU40C40M,RU60E25K,RU1H140R3,RU60E25L,RU40190R,RU40190S,RU30L70L,RU40231R,RU1H40L,RU70140R,RU1H40M,RUH30100M,RU30L40M2,RU1Z121R,RU20P4C6,RU40L10L,RU4068L,RU3030M2,RU30L15H,RU20P4C,RU30290R,RU8099R3,RU304B,RU1HP35L,RU207C,RU40191S,RU55110R,RU1HE3D,RU3075R,RU1HE12L,RU30J51M,RU2560L,RU40220R,RUH4020H,RU60C8H,RU6070L,RU30200M,RU2HE5L,RU7085R,RU3041M2,RU1Z120R,RU20P3B,RU65120R,RU7550R,RU30291R,RU7550S,RU3075L,RU30E60M2,RU55111R,RU6888R3,RUH40130R,RU65R580L,RU30C8H,RU3070L,RU60P50S,RU3070M,RU6580R,RU1H100R,RU1H221R,RU1H221Q,RUH3090L,RUH40130M,RU1HP60S,RU1HP60R,RU1HP60Q,RU40180M,RU65R2KL,RU65R2KP,RU1HL13L,RU20P7C6,RU1HL13R,RUH3030M2,RUH30J51M,RU30E20H,2N7002K,RU3012M4,RU1HL13K,RU65R580P,RU3582R,RU8099R,RU1H220R,RU3582S,RU1H220Q,RU6080L,RU60101R,RU6888S,RU2H50Q,RU2H50S,RU6888R,RU2H50R,RU30S15H,RU6888M,RU1H190S,RUH40130L,RU1H190R,RU40P4H,RU35122S,RU35122R,2N7002,RU60D5H,RU1H60R,RU3060K,RU3060L,RU2030M2,RU40190Q2,RU65R740P,RUH40140M,RU65R740L,RU30300R,RU75110S,RU75110Q,RU60100R,RU75110R,RU30P4B,RU30P4C,RU68130R3,RUH3020L,RU60E16R,RU1HE16L,RU20P18L,RU16P4M4,RU60E16L,RU75N08S,RU75N08R,RU60450Q,RU75230S,RU4099Q,RU75N08L,RU4099R,RU40280R,RU30P3B,RU120N15Q,RUH4080L,RU7582S,RU2HE2D,RU60190R,RU30P4C6,RU30L18H,RU6010H,RUH4080M,RU120N15R,RU30D10H,RU7570L,RU1H180S,RU7582R,RU3710S,RU1H180R,RU3560L,RU3710R,RU60E5H,RU12200R,RU3090M,RU55200Q,RU6099R3,RU30120L,RUH8080H,RU30120M,RUH60100M,RU6055S,RU60E5D,RU70190R,RU75150R3,RU6055R,RU7080L,RU1Z200Q,RU7581R,RU6055L,RUH3051M2,RU3010H,RU80190R,RU75210R3,RU60E6H,RU80100R,RU80100S,RU1Z40L,RU190N10Q,RU190N10S,RU190N10R,RU1H35R,RU3070M2,RU1H35S,RU1H35Q,RU70E15L,RU1H35L,RU30120S,RU1H35K,RUH60100R,RU7580R,RUH30D20H,RUH30J30M,RU30120R,RU65R340L,RU1H150Q,RU30L30M,RU30D8H,RU3080L,RU75170S,RU3080M,RU1H300Q,RU75170R,RU1H36S,RU6881R,RUH4040M2,RU2020H,RU1H36R,RU40150R,RU55L18L,RU40150S,RU1H36L,RU30S5H,RU60280R,RU65R340P,RU40P3C,RU2520H,RU2568L,RU1088R,RU3091M,RU6199Q,RU30D20M2,RU75210R,RU8205C6,RU75210S,RU12150R,RU60200R,RU12150Q,RU4095L,RU6199R,RU75210Q,RUH30150M,RUH4060K,RU55L18R,RUH4060L,RU40E32L,RUH6020H,RU8080S,RU30S4H,RUH3025H,RU3011H,RU1HL8L,RU602B,RU70100R,RU1H160R,RUH8015H,RU1H80R,RU60P50L
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
【产品】-30V/-15A双P沟道功率MOSFET RU30S15H，适用于电源管理、负载开关等应用
锐骏半导体推出一款SOP-8封装的双P沟道功率MOSFET RU30S15H，采用超高密度单元设计，漏源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-15A（TA=25℃），具有低导通电阻，适用于电源管理、负载开关和电池保护等应用。
产品 发布时间 : 2022-04-16
锐骏半导体（Ruichips）应用于充电器的MOSFET选型指南
型号- RUH6088M,RU60E16L,RU6085H,RUH4080M,RU4022H,RU3018M2,RU60E16R,RU3020H,RUH1H80M,RU4030M2,RU3012M4
深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）公司简介
型号- RU3070L,RUH40130M,RU4090L,RUH60100M,RU60E5D,RUH3051M2,RUH110N90M,RU65R160M,RU205B,RUH30200M-C,RU40L10H,RU6080L,RU6888S,RUH30120M,RU8205G,RU6888R,RU6888M,RUH1H150S,RUH1H150R,RUH1H80M,RUH3051M,RUH1H80R,RUH85210S,RUH40140M,RU65R740L,RUH115N90M,RUH4040M2,RU2020H,RUH30100M,RU2060L,RU40L10L,RU3020H,RU65R360M,RU65R340P,RU207C,RU65R450M,RU8590R,RU8590S,RU3089M-C,RUH30120M-C,RU6070L,RU8205C6,RU6050L,RUH6088M,RUH30150M,RUH120N90M,RUH4060L,RUH4080M,RUH40P40BM2-R,RU7570L,RU60D10H,RU20P7C,RU65R260M,RU20P3B
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
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