【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，栅源电压±8V，专为开关负载、PWM应用等设计
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为5.1A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品实物图和示意图
特点：
●漏源导通电阻RDS(ON)<27mΩ（VGS=4.5V，ID=5.1A）
●漏源导通电阻RDS(ON)<33mΩ（VGS=2.5V，ID=3.2A）
●漏源导通电阻RDS(ON)<46mΩ（VGS=1.8V，ID=2.0A）
●先进的沟槽工艺技术
●ESD保护HBM Class 1C
●专为开关负载、PWM应用等设计
●无铅，符合欧盟RoHS2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC61249标准
机械数据：
●外壳：SOT-23封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0084克
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自强茂，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460（60V/3.2A）N沟道增强型MOSFET。无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-17
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A（60V/42A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-20
【产品】30V/7.2A N沟道增强型MOSFET PJW8N03
PANJIT（强茂）推出了PJW8N03为N沟道增强型MOSFET。采用SOT-223封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流在25℃时最大额定值为7.2A。
新产品 发布时间 : 2019-09-20
【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在TA=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品 发布时间 : 2022-06-15
【产品】PWM应用和负载开关的N沟道增强型MOSFET CX4040，RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
诚芯微推出的型号为CX4040的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS（ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-06-29
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，具有优异的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3426B系列，器件采用先进的沟槽工艺技术制造，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
产品 发布时间 : 2023-05-11
【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT（强茂）推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A。
新产品 发布时间 : 2019-09-21
【产品】DFN3333-8L封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJQ4460AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4460AP（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-21
【产品】40V/100A N沟道增强型MOSFET PJD100N04,采用TO-252AA封装
PANJIT（强茂）推出了PJD100N04为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为40V，连续漏极电流最大额定值为100A。
新产品 发布时间 : 2019-10-29
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1989
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5537
现货： 3,574
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.8453
现货： 3,150
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.2848
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1537
现货： 2,930
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0057
现货： 2,900
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论