【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，栅源电压±8V，专为开关负载、PWM应用等设计

2022-09-08 强茂
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强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为5.1A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。

产品实物图和示意图

特点：

●漏源导通电阻RDS(ON)<27mΩ（VGS=4.5V，ID=5.1A）

●漏源导通电阻RDS(ON)<33mΩ（VGS=2.5V，ID=3.2A）

●漏源导通电阻RDS(ON)<46mΩ（VGS=1.8V，ID=2.0A）

●先进的沟槽工艺技术

●ESD保护HBM Class 1C

●专为开关负载、PWM应用等设计

●无铅，符合欧盟RoHS2.0标准

●绿色环保塑封，符合IEC61249标准


机械数据：

●外壳：SOT-23封装

●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

●重量约为：0.0084克


最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：


电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：

技术顾问：桦南
授权代理商：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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N沟道增强型MOSFET 开关负载 PWM应用 PJA3420E PANJIT 管状电机

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产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
-
-
-
-
3050
3.5
43
-

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型号- PJA3414

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型号- PJA3402

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型号- PJA3400

July 1,2015  - PANJIT  - 数据手册  - REV.01S 代理服务 技术支持 采购服务
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