【产品】4M（256K×16bit）低功率CMOS静态随机存取存储器，存取速度可达45 ns
AS6C4016A系列是由世界领先的存储器供应商ALLIANCE Memory推出的一款4M（256 K × 16 bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该系列SRAM采用先进的CMOS工艺技术制成，具有功耗低、速度快的特性，适合用于低功耗以及高速数据传输场合。图1所示为AS6C4016A系列功能框图，其内部主要由存储阵列、控制逻辑、预充电电路、IO电路、行选择等组成。
图1 AS6C4016A系列功能框图
该系列产品支持工业级温度范围(-40 ~ 85°C)，芯片级封装（Chip Scale Package）可以让用户在系统设计时具有灵活性。此外，AS6C4016A系列产品在具有低数据保持电流的电池备份工作模式时还支持低数据保持电压（ low data retention voltage）。表1所示为AS6C4016A系列数据保持特性相关参数。
表1 AS6C4016A系列数据保持特性相关参数
AS6C4016A系列供电电压范围：2.7V ~ 3.6V，典型供电电压为3.3V，存取速度可达45 ns，在工作模式下待机电流最大值为3mA，在待机模式下待机电流典型值仅0.25µA（Vcc=3.3V, TA=25°C），功耗值PD不超过1W。该系列有两种封装供选择，分别为：VFBGA-48（AS6C4016A-45BIN）、44-TSOP2（AS6C4016A-45ZIN）。VFBGA-48封装尺寸为：6mm×7mm×1mm 、0.75mm球间距，
TSOP2封装具体尺寸如图2所示。
图2 TSOP2封装具体尺寸
PS：AS6C4016A-45ZIN与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系，都是44-TSOP2封装，但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上，在工业及汽车领域非常有优势。
AS6C4016A产品特性：
工艺技术：0.18µm Full CMOS
速度快：45 ns
组成结构：256Kx16 位
电源供电电压：2.7V ~ 3.6V
低功耗：最大功耗1 W
低数据保持电压：1.5V(Min.)
三态输出、兼容TTL电平
封装类型：VFBGA-48或44-TSOP2
AS6C4016A产品应用领域：
工业电子
汽车电子
通信设备
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