【产品】600V/6A N沟道增强型MOSFET AM0660H，可提供四种封装
AIT公司的场效应管产品AM0660H，属于N沟道增强型MOSFET，该系列器件坚固耐用，提供TO-220, TO-220F, TO-251和TO-252四种封装，100％UIS+ Rg测试，漏源极电压600V，栅源极电压±30V。
AM0660H N沟道增强型MOSFET的产品特征：
①600V/6A,
RDS(ON)= 0.86Ω(max.) @ VGS= 10V
VDS@TJ, max= 700V (typ.)
②100％UIS+ Rg测试
③坚固耐用
④雪崩额定
⑤提供TO-220, TO-220F, TO-251和TO-252四种封装
AM0660H N沟道增强型MOSFET的应用领域：
①不间断电源（UPS）
②开关模式下的交直流功率转换电源（SMPS）
③适配器
AM0660H N沟道增强型MOSFET的典型应用：
图1
绝对最大额定参数（TA = 25°C,除非另有说明）：
电气特性（TA = 25°C,除非另有说明）：
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