【产品】采用Super Trench技术的N沟道增强型MOSFET SRN0308D，适用于BMS设备

时间： 2022-08-09 来源：萨瑞微电子

技术问答

萨瑞微电子推出一款采用TO263-2L封装的N沟道增强型MOSFET SRN0308D，采用先进的沟槽单元设计。在T_C=25℃条件下，该器件的漏源电压最小值为80V，漏极电流（DC）最大值为150A（V_GS=10V），漏极耗散功率最大值为156W。

产品引脚配置和示意图

特点：

●表面贴装封装

●先进的沟槽单元设计

●采用Super Trench技术

应用：

●BMS设备

●大功率逆变系统

●功率电器

关键参数值：

●BV≥ 80V
●P_tot≤ 156W
●I_D≤ 150A
●R_DS(ON) ≤ 3mΩ（V_GS=10 V）

●R_DS(ON) ≤ 4mΩ（V_GS=6 V）

极限值参数：

注：

* 表面安装在1 in² 焊盘区域，t ≤10 sec

** 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

*** 受焊线限制

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

注：

a：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

b：由设计保证，无需进行生产测试

产品订购信息

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