【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
产品实物图和示意图
特点：
●先进的沟槽工艺技术
●ESD保护
●低栅极电荷
●快速开关
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：DFN1010B-6L 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0011 克
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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3050
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3.5
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43
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选型表 - PANJIT 立即选型
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PJQ1820U-20V 20V N沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJQ1820U-20V的N沟道增强型MOSFET的特性。文档涵盖了其电压、电流规格，包括最大漏源电压（20V）、连续漏极电流（1A）。此外，还提供了电气特性数据，如静态和动态参数，以及典型特性曲线图。还包括了机械数据和封装信息。
型号- PJQ1820U-20V
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电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1670
现货： 6,329
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1930
现货： 6,020
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥0.6648
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.9306
现货： 4,900
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1170
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3258
现货： 3,574
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.1965
现货： 3,200
现货市场
服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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授权代理品牌：电工工具及材料
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