【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
产品实物图和示意图
特点：
●先进的沟槽工艺技术
●ESD保护
●低栅极电荷
●快速开关
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：DFN1010B-6L 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0011 克
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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