【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
产品实物图和示意图
特点：
●先进的沟槽工艺技术
●ESD保护
●低栅极电荷
●快速开关
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：DFN1010B-6L 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0011 克
最大额定参数和热特性（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由小背篓翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（3）
-
![]()
![]()
Steel Lv6. 高级专家 2022-09-26学习 -
![]()
![]()
WilberTse Lv6. 高级专家 2022-09-22学习学习！ -
![]()
![]()
PAN1 Lv4. 资深工程师 2022-09-22学习
相关推荐
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460（60V/3.2A）N沟道增强型MOSFET。无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A（60V/42A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
强茂（PANJIT）Low Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-40~40,VGS(±V)：8-20,ID(A)：-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品，适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品；采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】DFN3333-8L封装的PJQ4442P（40V/50A）N沟道增强型MOSFET，采用了先进的沟槽工艺技术
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4442P（40V/50A）N沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术超低的导通电阻，符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，栅源电压±8V，专为开关负载、PWM应用等设计
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为5.1A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET，反向传输电容为85pF
PANJIT推出了60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET，反向传输电容为85pF。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、反向传输电容低的特点，符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管
PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW，采用SOT-23封装。
【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，SOT-23封装
PANJIT（强茂）推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，采用SOT-23封装，在TA=25℃条件下，漏源最大电压20V，漏极直流电流最大2A，在ESD保护方面，HBM保护2KV，专为开关负载、PWM应用等而设计，无铅。
【产品】TO-252AA封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJD11N06A，反向传输电容典型值为23pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了TO-252AA封装的PJD11N06A（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。反向传输电容典型值为23pF,具有开关速度快、低栅极电荷的特点，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT（强茂）推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A。
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，漏源电压为30V
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为30V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为4.2A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】强茂N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，ESD保护高达2KV HBM
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，高达2KV HBM的ESD保护，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为6.5A。
【产品】650V/4A的N沟道增强型MOSFET PJF4N65M，导通电阻＜2.8Ω
强茂（PANJIT）推出的PJF4N65M N沟道增强型MOSFET，采用ITO-220AB-F封装，漏极-源极电压最大值为650V，Tc=25℃时的连续漏极电流最大值为4A。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、栅极电荷低等特点。
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3414-AU，适用于开关负载及PWM
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3414-AU，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为5.2A。产品专为开关负载、PWM应用等设计。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1670
现货： 6,329
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1930
现货： 6,020
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.5820
现货： 4,900
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1989
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5537
现货： 3,574
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥2.0340
现货： 3,200
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论