【产品】导通电阻最大仅110mΩ的增强型功率晶体管
基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商EPC（宜普电源转换公司）推出的EPC2110系列增强型功率晶体管，具有超高效率跟超小尺寸的优点，其RDS(on)的典型值仅为80mΩ（VGS = 5V、ID=4A），VDS =60V、VGS =5V、ID=4A时总闸极电荷的典型值极低，仅为0.8nC，因此具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。产品最适用于超级高频DC-DC转换、无线电力传输和同步整流等领域。
EPC2110系列增强型功率晶体管的最大额定参数：
| 参数 | 条件 | 最大值 |
| 漏源电压VDS | 连续脉冲 | 120V |
| 漏源电流ID | 连续脉冲（TA=25℃、R θJA=52℃/W） | 3.4A |
| 脉冲（25℃、TPULSE = 300 µs） | 20A | |
| 栅源电压VGS | 6V | |
| -4V | ||
| 操作温度TJ | -40~150℃ | |
| 储存温度TSTG | -40~150℃ |
EPC2110系列增强型功率晶体管的热性能参数：
| 参数 | 典型值 |
| 与机箱相连处的热阻抗RθJC | 3℃/W |
| 与板相连处的热阻抗RθJB | 25℃/W |
| 与环境相连处的热阻抗RθJA | 81℃/W |
注意：在FR4上安装了单层2盎司的铜，并将其安装在一平方英寸铜垫上，由此测定的RθJA
当TJ=25℃（除特殊说明外）时，EPC2110系列增强型功率晶体管的静态参数：
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 漏源电压BVDSS | VGS =0V、ID=0.3mA | 120V | ||
| 漏源漏电流IDSS | VDS =96V、VGS =0V | 0.01mA | 0.25mA | |
| 栅源正向漏电流IGSS | VGS =5V | 0.05mA | 1mA | |
| 栅源反向漏电流IGSS | VGS =-4V | 0.01mA | 0.25mA | |
| 栅源阈值电压VGS（TH） | VGS = VDS、ID=0.7mA | 0.8V | 1.4V | 2.5V |
| 漏源导通电阻RDS(on) | VGS = 5V、ID=4A | 80mΩ | 110mΩ | |
| 漏源正向电压VSD | IS=0.5A、VGS =0V | 1.9V |
EPC2110系列增强型功率晶体管的动态参数：
| 参数 | 条件 | 典型值 | 最大值 |
| 输入电容CISS | VDS =60V、VGS =0V | 85pF | 100pF |
| 反向转换电容CRSS | 1pF | ||
| 输出电容COSS | 45pF | 70pF | |
| 总闸极电荷QG | VDS =60V、VGS =5V、ID=4A | 0.8nC | 1.1nC |
| 漏源恢复电荷QRR | 0nC |
EPC2110系列增强型功率晶体管尺寸图、原理图、连接盘模式和封装结构图：
图1 EPC2110系列增强型功率晶体管尺寸图
图2 EPC2110系列增强型功率晶体管原理图
图3 EPC2110系列增强型功率晶体管推荐连接盘模式图
图4 EPC2110系列增强型功率晶体管封装结构图
EPC2110系列增强型功率晶体管突出特点与优势
·超高效率
·超低RDS(on)
·超低QG
·超小尺寸
EPC2110系列增强型功率晶体管应用领域
·超级高频DC-DC转换
·无线电力传输
·同步整流
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由阿爽爽翻译自EPC，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（4）
-
![]()
![]()
古月工 Lv8. 研究员 2018-11-21学习了！ -
![]()
![]()
江龙小昊哥 Lv5. 技术专家 2018-11-20Mark -
![]()
![]()
用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-17不错 -
![]()
![]()
太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2018-11-16学习了
相关推荐
【产品】超低导通电阻的增强型功率晶体管，典型值仅12mΩ
由EPC推出的EPC2014C系列增强型功率晶体管具有极低的RDS(on)、异常低的QG和零QRR，因此具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力。EPC2014C系列增强型功率晶体管最适用于高频DC-DC转换、D类音频、高频硬开关和软开关电路等领域。
【产品】增强型功率晶体管，效率超高， 1.35 mm x 1.35 mm超小尺寸
EPC推出的EPC2108系列增强型功率晶体管，具有超高效率和超小尺寸，RDS(on) 极低，典型值仅为150mΩ，同时，异常低的总闸极电荷也使得EPC2108系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。EPC2108系列增强型功率晶体管最适用于高频DC-DC转换、D类音频、无线电源（高度共振和感应）等领域。
【产品】低QG和零QRR的增强型功率晶体管
EPC于2018年推出EPC2111系列增强型功率晶体管，具有极低的RDS(on)，和较低的QG以及零QRR。EPC2111系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力，应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。产品最适用于高频DC-DC和负载点转换器等领域。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC2069–增强型功率晶体管规格书
描述- 本资料为EPC2069增强型功率晶体管的规格说明书。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和高效率等特点，适用于高频DC-DC转换器、BLDC电机驱动器和同步整流等领域。
型号- EPC2069
EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表
描述- 本资料为EPC2001C增强型功率晶体管的电子数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和热设计。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、电容特性、热阻特性、封装尺寸和标记等内容。
型号- EPC2001C
EPC2036–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料为EPC2036增强型功率晶体管的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路、激光雷达/脉冲电源应用以及类D音频等领域。
型号- EPC2036
EPC2307–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料详细介绍了EPC2307增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高频开关应用，同时具备低开关损耗和零反向恢复损耗的特点。资料中提供了产品的主要参数、特性、应用领域以及封装信息。
型号- EPC2307
EPC2066–增强型功率晶体管，VDS 40 V，RDS（ON）1.1 mΩ（最大值），ID 90 A
描述- 本资料介绍了EPC2066增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该器件具有极低的导通电阻RDS(on)、高电子迁移率和低温度系数，适用于高频开关和高效率转换应用。
型号- EPC2066
EPC2088–增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。
型号- EPC2088
EPC2308–增强型功率晶体管数据表
描述- 该资料详细介绍了EPC2308增强型功率晶体管的产品特性、应用领域和设计建议。EPC2308是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。
型号- EPC2308
EPC2054–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2054增强型功率晶体管的电子数据表。它详细介绍了该产品的电气特性、热特性、动态特性以及封装信息，适用于高速直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软切换电路等领域。
型号- EPC2054
EPC2065–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2065增强型功率晶体管的规格书。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻（RDS(on) = 3.6 mΩ）、高电流承载能力（ID = 60 A）和高频率性能。适用于高效能转换应用，如DC-DC转换器、BLDC电机驱动器和同步整流。
型号- EPC2065
EPC2901C_55–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书
描述- 本资料详细介绍了EPC2901C_55型号的eGaN® FET（增强型场效应晶体管）的特性和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗，适用于高频DC-DC转换、工业自动化、同步整流和低电感电机驱动等领域。
型号- EPC2901C_55
EPC2012C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表
描述- 本资料为EPC2012C增强型功率晶体管（eGaN® FET）的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点，适用于高频直流直流转换、无线电力传输和音频放大器等领域。
型号- EPC2012C
电子商城
现货市场
服务
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论