【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP4606B,具有高功率和电流处理能力
铨力半导体推出N和P沟道增强型MOSFET AP4606B,采用SOP-8封装,无铅产品认证,具有高功率和电流处理能力。适用于脉冲宽度调制(PWM)应用、负载开关、电源管理应用。
特性
N沟道
VDD=30V,ID=7A
RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V TYP:18 mΩ
RDS(ON)<38mΩ@VGS=4.5V TYP:25 mΩ
P沟道
VDD=-30V,ID=-5.1A
RDS(ON)<50mΩ@VGS=-10V TYP:38 mΩ
RDS(ON)<70mΩ@VGS=-4.5V TYP:53 mΩ
无铅产品认证
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
应用
•脉冲宽度调制(PWM)应用
•负载开关
•电源管理
包装标识和订购信息
绝对最高额定值(Ta=25℃除非另有说明)
N沟道电气特性(Ta=25℃除非另有说明)
P沟道电气特性(Ta=25℃除非另有说明)
Notes:
1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温度限制
2.脉冲测试:脉冲宽度≤300µs,占空比≤2%
3.表面贴装FR4板,t≤10sec
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型号- AP2302B,AP9435,APG060N85,AP90N03Q,AP3415E,AP10N10S,AP90N04G,AP2055K,AP4008QD,AP20N06T,AP90N04K,AP150N03Q,APG078N07K,APG011N04G,AP1310K,AP2003,AP150N03G,AP3404S,AP4407C,AP4410,AP4910GD,AP50N04QD,AP80P04K,AP3908QD,AP2N7002,AP30H80Q,AP200N04D,AP2020G,AP9565K,AP3205,AP30H80K,AP30H80G,AP20N100Q,AP8205,AP40P04K,AP4013S,APG080N06G-AU,APG042N01D,AP4008SD,APG180N01GD,AP4407,AP2301B,AP33N10,AP40P05,AP30P06K,AP90N04Q,AP50N06,AP25P30Q,AP1002,AP2333,AP40P04G,AP2335,AP3401S,AP0903Q,AP3010,AP50N04Q,AP30P06G,APG038N01G,APG046N01G,AP0903G,AP50N04K,AP8810,AP2714QD,AP3003,APG068N04G,APC65R360M,AP3400A,AP120N04K,AP2310S,AP55N03K,APG068N04Q,APG078N07,AP30H220G,AP7N10K,AP90P03Q,AP50P20Q,APG024N04G,AP180N03G,AP15N10K,APG077N01G,AP50P20K,APC65R190FM,AP200N04,AP90N03GD,APG035N04Q,AP25P06K,AP2012,AP2714SD,AP30H180K,AP1605,AP90P03K,APG035N04G,AP1606,AP8205A,AP90P03G,APC65R360FM,AP4435,AP40N100KL,AP4438,APG045N85,AP40T120WH,AP1310,AP2N65K,AP60P20Q,AP2716QD,AP60P20K,AP25N06K,AP4688S,APG042N01,APG060N12,AP12N10S,APG013N04G,AP50P03K,AP2317QD,AP30H100KA,AP4812,AP2080Q,APG095N01,AP2080K,AP20P30S,AP2012S,APG095N01K,AP20P30Q,AP2080G,AP60N04G,APG095N01G,APC65R041WMF,AP50N06K,APP50N06,AP040N03G,AP3004S,APG060N85D,AP3020,AP70P03K,AP2716SD,AP3908GD,AP60N04Q,AP6007S,AP4946S,AP40N100K,AP18N20,AP3912GD,AP30H50Q,AP4813K,AP0803QD,AP9926,AP6242,AP3407S,APG070N12G,AP4606B,AP30N03K,AP2022S,AP3100A,AP75N04K,AP80N06T,APG4015G,AP85N04Q,AP2035G,AP6802,AP85N04K,AP6800,AP2318A,APG050N85,APG250N01Q,AP85N04G,AP3416,AP120N03,AP5N20K,AP30H150G,AP2310,AP30H150K,AP6009S,AP2035Q,APG060N12D,APG022N06G,AP2312,AP3402,AP30H60K,AP3400,AP3401,AP2316,AP4616,AP15P03Q,AP3407,AP3404,AP2317,AP4822QD,APG050N85D,APC65R600KM,AP2020K,AP80N04Q,AP30H150KA,AP2045K,AP30H150Q,AP30P06,AP2045G,AP2301,AP0903GD,AP2300,AP68N06G,AP6900,AP2305,AP4847,AP4606,AP4846,AP5N10M,AP4P20,APC60R030WMF,AP9N20K,AP80N04G,AP5N10S,AP2045Q,AP2317SD,AP3910GD,APG082N01,APG011N03G,AP4409S,AP4953,AP2317A,AP30P30S,AP3065SD,AP30P30Q
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产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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