【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，具有高功率和电流处理能力

时间： 2023-01-10 来源：铨力半导体

技术问答

铨力半导体推出N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，采用SOP-8封装，无铅产品认证，具有高功率和电流处理能力。适用于脉冲宽度调制（PWM）应用、负载开关、电源管理应用。

特性

N沟道

V_DD=30V，I_D=7A

R_DS(ON)<25mΩ@V_GS=10V TYP：18 mΩ

R_DS(ON)<38mΩ@V_GS=4.5V TYP：25 mΩ

P沟道

V_DD=-30V，I_D=-5.1A

R_DS(ON)<50mΩ@V_GS=-10V TYP：38 mΩ

R_DS(ON)<70mΩ@V_GS=-4.5V TYP：53 mΩ

无铅产品认证
高功率和电流处理能力
表面贴装封装

应用

•脉冲宽度调制（PWM）应用

•负载开关

•电源管理

包装标识和订购信息

绝对最高额定值（Ta=25℃除非另有说明）

N沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）

P沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）

Notes：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制

2.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2％

3.表面贴装FR4板，t≤10sec

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