【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，具有高功率和电流处理能力
铨力半导体推出N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，采用SOP-8封装，无铅产品认证，具有高功率和电流处理能力。适用于脉冲宽度调制（PWM）应用、负载开关、电源管理应用。
特性
N沟道
VDD=30V，ID=7A
RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V TYP：18 mΩ
RDS(ON)<38mΩ@VGS=4.5V TYP：25 mΩ
P沟道
VDD=-30V，ID=-5.1A
RDS(ON)<50mΩ@VGS=-10V TYP：38 mΩ
RDS(ON)<70mΩ@VGS=-4.5V TYP：53 mΩ
无铅产品认证
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
应用
•脉冲宽度调制（PWM）应用
•负载开关
•电源管理
包装标识和订购信息
绝对最高额定值（Ta=25℃除非另有说明）
N沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
P沟道电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2％
3.表面贴装FR4板，t≤10sec
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