【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3，通过AEC-Q101认证，具有高阻断电压等特性

时间： 2023-03-02 来源：派恩杰

技术问答

派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证，100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压，低导通电阻，Q_gd超小等特性，可高频工作，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关电源。

产品实物图和示意图

产品特点：

●通过AEC-Q101认证

●高阻断电压，低导通电阻

●高频工作

●Q_gd超小

●100%经过UIS测试

产品优势：

●提高系统效率

●增加功率密度

●降低散热要求

●降低系统成本

产品应用：

●太阳能逆变器

●电动汽车电池充电器

●高压DC/DC转换器

●开关电源

最大额定值

T_J=25℃，除非特别说明

电气特性

T_J=25℃，除非特别说明

反向二极管特性

T_J=25℃，除非特别说明

热特性

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P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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