【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3，通过AEC-Q101认证，具有高阻断电压等特性

时间： 2023-03-02 来源：派恩杰

代理服务

技术支持

采购服务

派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证，100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压，低导通电阻，Q_gd超小等特性，可高频工作，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关电源。

产品实物图和示意图

产品特点：

●通过AEC-Q101认证

●高阻断电压，低导通电阻

●高频工作

●Q_gd超小

●100%经过UIS测试

产品优势：

●提高系统效率

●增加功率密度

●降低散热要求

●降低系统成本

产品应用：

●太阳能逆变器

●电动汽车电池充电器

●高压DC/DC转换器

●开关电源

最大额定值

T_J=25℃，除非特别说明

电气特性

T_J=25℃，除非特别说明

反向二极管特性

T_J=25℃，除非特别说明

热特性

订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自派恩杰，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【元件】派恩杰半导体强势推出多款工规/车规碳化硅模块产品，掌握塑封、灌封两种工艺，全力助推新能源！

派恩杰作为一家专注于碳化硅MOSFET及功率模块的研发型公司，自2021年派恩杰第一款62mm模块发布开始，注重模块应用的高质量生产和卓越的设计开发技术，探索前沿工艺能力，在与产业链战略合作伙伴的一起努力下,持续推出重量级产品,积极进行品牌升级，贴合客户需求，让“梦想化作现实”。

2024-05-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源

爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

2022-08-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】国产N沟道碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3，广泛应用于太阳能逆变器等领域

ASC60N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。其采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。

2022-07-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

P3M06025K3 N沟道增强型SiC MOS

描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M06025K3型号碳化硅（SiC）MOSFET器件。这是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有高阻断电压、低导通电阻和高频操作能力。资料提供了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能数据，并说明了其适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和开关模式电源等应用。

型号- P3M06025K3

Dec. 2022 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver. 1.2 代理服务技术支持采购服务

LSIC1MO170E1000 1700 V N沟道增强型SIC MOSFET

描述- 该资料详细介绍了LSIC1MO170E1000型碳化硅(SiC) MOSFET二极管的规格、特性及应用。该器件具有1700伏耐压、1000毫欧姆导通电阻，适用于高频、高效率应用。

型号- LSIC1MO170E1000

07/16/18 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点

某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求：电压1200V，内阻80ohm，封装：TO247-4；要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。

2022-12-09 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

LSIC1MO120E0160 1200V N沟道增强型SiC MOSFET规格书

描述- 本资料为LSIC1MO120E0160型碳化硅MOSFET的数据手册。该器件是一款1200V耐压、增强型SiC MOSFET，适用于高频、高效应用。具有极低的栅极电荷和输出电容，通常在所有温度下处于关断状态，符合无卤素、无铅和无RoHS标准。

型号- LSIC1MO120E0160

04/05/22 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【选型】漏源电压最高1200V的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET用于汽车电驱电控系统设计，可节省系统成本

本文推荐派恩杰的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3可以用于汽车电驱电控系统设计选型。汽车电驱的电源模块电压直流最高到900V，1200V电压可以满足使用，175℃的温度也可以满足汽车系统的工作环境要求。整体参数优异，完美适配汽车电驱系统电源模块需求。

2022-12-13 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V/80mΩ的N沟道增强型碳化硅MOSFET，AEC-Q101认证合格

P3M12080K4是派恩杰推出的采用TO-247-4封装的N沟道增强型碳化硅MOSFET，漏源电压1200V，AEC-Q101认证合格，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点，通过了100%UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

2020-11-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1700V的N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M173K0T3/P3M173K0F3

派恩杰推出的P3M173K0T3、P3M173K0F3是1700V N沟道增强型碳化硅MOSFET，P3M173K0T3采用TO-220-3封装，P3M173K0F3采用TO-220F-3封装，导通电阻低，可在高频下工作。具有超小的栅极到漏极电荷，通过100% UIS测试。

2020-09-18 - 新产品代理服务技术支持采购服务

N沟道增强型SiC mOS P3m12120K3

描述- 本资料介绍了SiC MOS P3M12120K3型N沟道增强模式碳化硅MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻和高压高频操作能力，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- P3M12120K3

2019-12-20 - 派恩杰 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3，导通电阻典型值最低仅为25mΩ

P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ，P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ，P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。

2020-07-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务

碳化硅MOS P3M12025K3

描述- 该资料详细介绍了SiC MOS P3M12025K3型N沟道增强模式碳化硅MOSFET的特性。它具有高阻断电压、低导通电阻和高压高频操作能力，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- P3M12025K3

2019-12-25 - 派恩杰 - 数据手册 - Revision 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025BD、P3M12080BD，漏源导通电阻为25mΩ/80mΩ

P3M12025BD、P3M12080BD是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025BD阻值仅为25mΩ，P3M12080BD阻值为80mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，符合ROHS标准，无卤素。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

2020-06-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务