中国第三代半导体行业领军企业，碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体（BASiC）
深圳基本半导体股份有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心,拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域。
产品亮点：
碳化硅MOSFET：电压规格1200V；短路耐受时间可达6μs；导通电阻RDS（on）：18~160mΩ；栅极开启电压Vth≥2.9V。
碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）：电压规格650V-1200V；电流2A~40A；反向漏电低至μA，比传统碳化硅二极管低三个数量级；抗浪涌电流能力超过8倍额定电流。
汽车级全碳化硅功率模块：电压规格750~1200V，导通电阻RDS（on）：1.3~2.8mΩ。提供兼容业内主流HybridPACK Drive，EconoDual3封装产品，以及转模塑封型低热阻、高功率密度模块。模块采用银烧结连接工艺，DTS®芯片绑定技术，极大的增加了高温高功率工况下模块的可靠性及寿命。
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阿尼古 Lv8. 研究员 2023-01-31感谢分享 -
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珍珍 Lv7. 资深专家 2022-09-22学习 -
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桃梅 Lv7. 资深专家 2022-09-09学习 -
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小扬 Lv4. 资深工程师 2022-09-02学习 -
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zwjiang Lv9. 科学家 2022-05-29学习学习 -
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九月 Lv6. 高级专家 2021-11-11学习 -
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落地生根 Lv7. 资深专家 2021-05-16学习 -
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乔小乔 Lv7. 资深专家 2021-04-17牛 -
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刀无影子138 Lv6. 高级专家 2021-03-28学习了 -
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手可摘星辰 Lv6. 高级专家 2021-03-16学习
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B3D20065H碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B3D20065H碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、典型性能和应用领域。该二极管具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特性，适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B3D20065H
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B2D06065E1碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了B2D06065E1型号的碳化硅肖特基二极管，属于TO-252-3封装。产品具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B2D06065E1
B2D40120H1碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了B2D40120H1型号的碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。该二极管适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B2D40120H1
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B2D30065H1碳化硅肖特基二极管
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型号- B2D30065H1
B2D02120E1碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了B2D02120E1型号的碳化硅肖特基二极管，该器件具有低反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性等特点。它适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- B2D02120E1
B2D10065F1碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了B2D10065F1型号的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode），其具有650V重复峰值反向电压、10A连续正向电流和30nC快速恢复电荷。产品特性包括低漏电电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为和高浪涌电流容量。它适用于开关电源、不间断电源、服务器/电信电源供应、功率因数校正和太阳能等领域。
型号- B2D10065F1
B2D20065H1碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了B2D20065H1型号的碳化硅肖特基二极管，包括其特性、应用领域、电气参数、热特性、典型性能和封装尺寸等。
型号- B2D20065H1
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