【产品】600V/30A N沟道超级结MOSFET PJMF120N60EC，导通电阻最大值为120mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET——PJMF120N60EC，TA=25℃的条件下，连续漏极电流为30A，最大漏源导通电阻为120mΩ（VGS=10V, ID=12A）。具有高速开关和低导通电阻、100%雪崩测试、100%Rg测试等特点，适用于功率因数校正，TV电源，PC电源，PD充电器，适配器，不间断电源。
产品外观和示意图
特点：
导通电阻RDS(ON) 最大值为120mΩ , VGS=10V
易于使用和驱动
高速开关，低导通电阻RDS(ON)
100%雪崩测试
100%Rg测试
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
外壳：ITO-220AB-F封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量（大约）：0.068盎司，2克
应用：
PFC、TV电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
基本上与工作温度典型特性无关
RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和
Co(er)是一种电容，当VDS从0V上升到80%V(BR)DSS时，它提供与Coss相同的存储能量
设计保证，无需进行产品测试
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