【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET PJA3419-AU，规格为-20V/-4.0A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET PJA3419-AU，在TA=25℃的条件下，漏源电压为-20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为-4.0A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品外观和示意图
特点：
● 漏源导通电阻RDS(ON)<60mΩ（VGS=-10V，ID=-4.0A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<70mΩ（VGS=-4.5V，ID=-3.3A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<96mΩ（VGS=-2.5V，ID=-2.0A）
● 漏源导通电阻RDS(ON)<180mΩ（VGS=-1.8V，ID=-0.5A）
● 先进的沟槽工艺技术
● 专为开关负载、PWM应用等设计
● ESD保护2KV HBM
● AEC-Q101合格
● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
● 外壳：SOT-23封装
● 端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
● 重量约为：0.0003盎司，0.0084克
最大额定参数和热特性(TA=25℃，除非另有说明)：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
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型号- PJA3405
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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N
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选型表 - PANJIT 立即选型
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品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3324
现货： 2,980
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.9306
现货： 2,955
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3125
现货： 2,446
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3191
现货： 1,950
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.8509
现货： 1,600
品牌：PANJIT
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价格：￥0.6913
现货： 188
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0370
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.6116
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.4890
现货： 60
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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