【产品】抗辐射型高频半桥驱动器IS-2100ARH和IS-2100AEH，1.5A峰值输出电流
RENESAS（瑞萨电子）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商。由Renesas推出的IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC，具有高频、130V半桥N沟道MOSFET驱动能力。峰值输出电流高达1.5A，驱动能力较强，功能类似于工业标准2110类型，非常适用于高频开关电源、感应负载的驱动器和直流电机驱动器等应用领域。
IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC的低边和高边栅极驱动器是独立控制的，这为用户提供了死区时间选择和驱动程序协议选择的最大灵活性。此外，内置错误检测和校正电路，可监控高边锁存器的状态并将其与HIN信号进行比较。若两者不一致，则产生置位或复位脉冲以校正高边锁存器，此功能可保护高边锁存器免受单事件干扰（SEU）的影响。
IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC工作时的电源电压范围为12V~20V，具有较宽的电源电压范围，能够简化电源电路设计。自举电压最大可达150V，具有低直流功耗，典型值仅为60mW。具有较强的抗辐射能力，最大总剂量时的抗辐射能力为300krad(Si)，同时垂直器件架构也降低了对低剂量率的敏感性，使得IC具有更强的闩锁抗扰度，避免强辐射环境引起器件失效甚至烧毁。
IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC采用16引脚的Flatpack封装，工作温度范围较宽，为-55℃~+125℃，满足工业级产品需求，可安全稳定地应用于个工业领域。值得一提的是，该产品可提供裸片，裸片尺寸为4820μm*3300μm（190mils
x 130mils），为用户提供更具性价比的产品。其Flatpack封装的引脚配置如下：
图1 IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC引脚配置
IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC突出特点与优势
·QML符合MIL-PRF-38535要求
·辐射环境：最大总剂量：300krad(Si)
-垂直器件架构降低了对低剂量率的敏感性
·上升沿和下降沿时间典型值为30ns（@1MHz，驱动1000pF负载）
·峰值输出电流典型值1.5A
·非半桥拓扑的独立输入
·低直流功耗，典型值为60mW
·低边电源欠压保护
IS-2100ARH和IS-2100AEH抗辐射高频半桥驱动器IC应用领域
·高频开关电源
·感应负载驱动器
·直流电机驱动器
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