【产品】-30V/±4.5A的P沟道MOSFET RW4E045AT，采用HEML1616L7封装

时间： 2020-07-11 来源：ROHM

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ROHM公司推出了一款性能优异的P沟道MOSFET RW4E045AT，该器件是低导通电阻的功率MOSFET，漏源电压为-30V，漏极持续电流为±4.5A，耗散功率为1.5W，采用小型表面贴装封装（HEML1616L7），有助于节省空间。

图1 RW4E045AT的实物图、封装形式和内部电路

RW4E045AT产品特性

● 低导通电阻

● 大功率小封装(HEML1616L7)

● 无铅电镀，RoHS认证

● 无卤素

应用

● 切换开关

● DC/DC转换器

● 电池开关

RW4E045AT的最大额定值参数(T_a=25℃)

*1：Pw≤10μs，占空比≤1％

*2：安装在铜板上（40×40×0.8mm）

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