【产品】DFN3333-8L封装的60V/33A N沟道增强型MOSFET PJQ4464AP-AU
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4464AP-AU(60V/33A)N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJQ4464AP-AU N沟道增强型MOSFET特点:
•RDS(ON), VGS@10V, ID@16A<17mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V, ID@8A<20mΩ
•先进的沟槽工艺技术
•高密度单元设计,超低的导通电阻
•通过车规AEC-Q101认证
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封,符合IEC 61249标准
PJQ4464AP-AU N沟道增强型MOSFET机械数据:
•外壳:DFN3333-8L封装
•端子:可焊性均符合MIL-STD-750标准(方法2026)
•重量约:0.001盎司,0.03克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
PSMQC060N06LS1-AU
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Medium Voltage MOSFET
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DFV5060-8L
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New Product
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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60
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20
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68
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6
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2057
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服务
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