【选型】国产P-MOS YJQ1216A替换NTLUS3A40P，助力光模块缓启动电路设计
在光模块的设计中，模块的热插拔功能一般会用P-MOS和三极管来搭建分立电路，对于MOSFET有的客户会选择安森美的NTLUS3A40P，但在器件国产化的大趋势下，很多产品都要求使用与国外器件兼容的封装，以实现pin to pin的无缝替代。国产扬杰科技P-MOS YJQ1216A就可以用来pin to pin替代安森美的NTLUS3A40P。
两者电性能参数如下图1所示：
图1：YJQ1216A与NTLUS3A40P电性能参数对比
通过上述表格对比，可知：
1、YJQ1216A的CISS 更小，所以其发热量和损耗比NTLUS3A40P要小；
2、两者最大Vgs虽然不同，但是栅极的阈值电压Vgs（th）是一致的，在实际设计中不需要更改MOS栅极驱动电路参数；
3、在Vgs=-4.5V条件下，YJQ1216A的导通内阻Rds(on)比NTLUS3A40P要小，可更好的降低导通损耗；
4、YJQ1216A与NTLUS3A40P的节温都为-55~150℃，可有效保证MOS管的可靠性；
5、YJQ1216A与NTLUS3A40P封装Pin脚完全P2P兼容，大大缩短测试验证周期，两者封装PIN脚对比见图2。
图2：YJQ1216A与NTLUS3A40P封装Pin脚对比
由以上分析可知，在光模块项目上，国产供应商扬杰的YJQ1216A可以PIN-TO-PIN兼容NTLUS3A40P。而且国产品牌物料，具有更好的性价比和供货交期。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
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2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
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3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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