【经验】IXDN609+脉冲变压器实现高电压应用中IGBT驱动

门驱动器集成电路部

描述- 该资料主要介绍了IXYS ICD公司生产的各类门极驱动IC，包括低侧门极驱动器、高压门极驱动器和光隔离门极驱动器等。产品线涵盖了从低成本的双通道1.5A驱动器到高电流的单通道驱动器，适用于各种应用场景，如汽车、工业和消费电子等。资料详细介绍了不同型号的产品特性、封装、参数和应用案例。

型号- FOS3120SV,IX3180,VO3120-X019T,IX4340UE,HCPL-3120-300E,VO3120-X007T,IXDN604SI,FOD3180S,FOD3210S,FOS3120SDV,IXD_614SI,IX3180GS,HCPL-3180-300E,IXDD604SI,IX21844-EVAL,FOD8332R2V,IRS4428,FOD8332,IRS4426,IRS4427,IXDD604SIA,IXDI614SITR,IXD_614,HCPL-3120-000E,UCC27524D,FOS3120SD,UCC27524DGN,FOD8332R2,IX3120,IXDD614SI,ACPL-332J-500E,IXDN604SITR,IXDF604SITR,IXDN604SIATR,IXDI609SI,IX2113-EVAL,HCPL-3120-560E,IX332BTR,IRS21844,IX4340N,VO3120,IX4340,FOD3180,IX3120G,UCC27524AD,IXD_630,IXDI604SIA,FOS3120V,IXDF604SIATR,IXDN609SITR,IXDD614SITR,TLO350,HCPL-3180-00E,UCC27524ADGN,IXDI609SITR,IXDI604SIATR,C3M0075120J,CGD15SG00D2,IX3120GESTR,FOD8332V,HCPL-3120-360E,TLP350,IX4427M,IXD_604SIA,ACPL-332J-000E,IXDI604SI,IXDF604SI,IXDN614SI,FOD3120,IXD_609SI,IX3120GES,IXDN604SIA,IX4351NE,IX4428N,HCPL-3120-060E,IXDN609SI,HCPL-3120-500E,IX3120GE,2EDN7524R,IX3120GSTR,IXD_604,IXD_609,IXDI604SITR,IXDI614SI,IXDD604SITR,IXDD604SIATR,IX2113,IXD_602,IX3180G,IX3180GSTR,LSICMO120E0080,IRS2113,IXD_600,2EDN7524F,IX4340NE,IX3120GS,IX332B,HCPL-3180-500E,IX21844,IXDN614SITR,FOD3189SD,IXDD609SI,C2M0040120D,HCPL3180,MIC4426,IX4426,IXDD609SITR,MIC4427,IX4427,MIC4428,600 SERIES,IXD_604SI,IXDF604SIA

力特（Littelfuse）全新发布驱动电流高达30A的SiC驱动方案——世强硬创沙龙2019

描述- 该资料主要介绍了Littelfuse公司的产品和服务，包括保护、控制和传感技术。重点介绍了门驱动IC、SiC产品、熔断器、PTC、小型断路器、 Reed开关、TVS二极管、LED保护器等。此外，还详细介绍了IXD600系列门驱动IC的特点、优势和应用，包括汽车级门驱动器、SiC MOSFET门驱动器等。资料还对比了SiC器件与Si MOSFET和二极管的性能差异，强调了SiC器件在提高功率密度、降低开关损耗和提升系统性能方面的优势。

型号- IXDN609SI,IX4340UE,C3M0075120J,MEJ2D1209SC,IXD_604,CGD15SG00D2,IXD_609,IXDD604SIATR,SI8261BCD,IXD_602,IXD_600,IXD_614SI,CRD-001,IX4427N,IX4340NE,IX4427M,IX4340N,IX4340,C2M0040120D,IRS4428,IRS4426,IX4426,IRS4427,MIC4426,IXD_630,IXD_614,IXD_609SI,IX4427,MIC4427,IX4428,MIC4428,600 SERIES,IXD_604SI,IX4351NE,IX4426N,IX4428N

TO220和TO263封装栅极驱动器产品更改通知（PCN）（LFPCN EIC-1143）的替代测试场所批准

描述- Littelfuse发布产品变更通知，批准TO220和TO263封装的栅极驱动器采用新的测试地点。此次变更不影响原产地，涉及产品包括IXDD、IXDI和IXDN系列。新测试地点为美国和中国，发货地点包括美国贝弗利和香港，最小交货量为250件（5管）或500件/卷。变更将于2025年1月13日生效，无形式、尺寸和功能变化，也无零件号变更。

型号- IXDI614YI,IXDN630MCI,IXDI609CI,IXDD630CI,IXDN609YI,IXDI630MCI,IXDD630MCI,IXDI630YI,IXDN614CI,IXDN630MYI,IXDD614CI,IXDN630CI,IXDD630MYI,IXDI630MYI,IXDI630MYITR,IXDD609YI,IXDN614YI,IXDI609YI,IXDI630CI,IXDN609CI,IXDD614YI,IXDN630YI,IXDD630YI,IXDD609CI,IXDI614CI

低侧门驱动器集成电路

描述- 该资料介绍了IXYS公司IXD600系列低边门极驱动IC，包括工业级和汽车级版本。这些驱动IC适用于硅碳化物MOSFET，具有多种输出电流和封装选项。IXD600系列具有35V的运行电压，最高可达30A的电流能力，并支持AEC-Q100认证。资料还提到了IXYS ICD IXD600系列在汽车应用中的使用，以及适用于SiC MOSFET的驱动器。

型号- IXDN609SI,IXDI609SITR,IXDI604SIATR,IXD_604,IXDN604SI,IXDD614SI,IXD_609,IXDN604SITR,IXDF604SITR,IXDI604SITR,IXDI614SI,IXDD604SITR,IXDD604SIATR,IXDN604SIATR,IXD_602,IXDI609SI,IXD_600,IXD_614SI,IXD_604SIA,IXDN614SITR,IXDI604SI,IX4340,IXDD604SI,IXDF604SI,IXDD609SI,IXDN614SI,IX4426,IXD_630,IXDD604SIA,IXDD609SITR,IXDI614SITR,IXD_614,IXDI604SIA,IXD_609SI,IX4427,IX4428,IXD_604SI,IXDF604SIATR,IXDN609SITR,IXDN604SIA,IXDD614SITR,IXDF604SIA,LSIC1MO120E0080

IX4352NE 9A低压侧SiC MOSFET和IGBT驱动器规格书

描述- 该资料介绍了IX4352NE低边门极驱动器，专为SiC MOSFET和高功率IGBT设计。它具有独立的9A源和漏输出，可定制导通和关断时间，同时最小化开关损耗。内部负电荷调节器提供用户可选择的双向栅极驱动偏置，以提高dV/dt免疫力和快速关断。

型号- IX4352NETR,IX4352NE

IXD_609 9安培低端超快MOSFET驱动器

描述- 该资料介绍了IXD_609系列高速栅极驱动器，适用于驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。这些驱动器具有高电流输出能力，峰值电流可达9A，同时提供小于25ns的电压上升和下降时间。它们与CMOS兼容，几乎不受闩锁效应的影响。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。

型号- IXDN609SI,IXDI609SITR,IXDD609PI,IXDI609CI,IXDN609SIATR,IXDN609YI,IXD_609,IXDI609SIA,IXDI609SIATR,IXDI609SI,IXDN609,IXDN609SIA,IXDD609,IXDN609PI,IXDD609SI,IXDD609YI,IXDD609SIATR,IXDD609SIA,IXDI609YI,IXDI609PI,IXDD609SITR,IXDD609D2TR,IXDN609SITR,IXDD609CI,IXDI609

FDA117–光隔离光伏驱动器

型号- FDA117GR,FDA117

IXD_609SI汽车级9安培，低压侧，超快MOSFET驱动器

描述- 该资料介绍了IXD_609SI汽车级高速栅极驱动器，具备AEC Q100认证。该产品可提供高达9安培的峰值源/漏电流，工作电压范围为4.5V至35V，具有宽温操作范围（-40°C至+125°C）。IXD_609SI适用于汽车直流/直流稳压器、电子助力转向和电动汽车动力系统等领域。

型号- IXDN609SI,IXDD609SITR,IXDI609SITR,IXD_609SI,IXDI609SI,IXDN609SITR,IXDD609SI

IX4351NE 9A低压侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

描述- 该资料介绍了IX4351NE是一款专为驱动SiC MOSFET和高功率IGBT设计的门极驱动器。它具有独立的9A峰值源和漏输出，支持-10V至+25V的工作电压范围，并具备内部电荷泵稳压器、欠压锁定（UVLO）、热关断等功能。此外，还提供了过电流检测和保护功能，适用于板载充电器、DC-DC转换器和电动汽车充电站等应用。

型号- IX4351NETR,IX4351NE