【产品】采用SOT-89封装的硅NPN/PNP晶体管CXT491E和CXT591E，专为高电流，通用放大器应用而设
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的晶体管——CXT491E与CXT591E，均为高性能高电流的晶体管，其中CXT491E为NPN晶体管，CXT591E为PNP晶体管。两款产品的连续集电极电流均为1.0A， 最大功耗均为1.2W，其系列采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，表面贴装封装，采用SOT-89封装，专为高电流，通用放大器应用而设计。其产品实物图如图1所示。
图1.产品实物图
CXT491E与CXT591E两款产品的集电极-基极电压VCBO均为80V，集电极-发射极电压VCEO均为60V，发射极-基极电压VEBO均为5.0V，基极连续电流IB均为200mA，集电极峰值电流ICM均为2.0A。另外，其工作和存储结温的范围均为-65 °C~+150 °C，结壳热阻最低均为104°C/W，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。其封装尺寸和引脚定义如图2所示。
图2.产品封装尺寸和引脚定义图
另外，两款产品的特征频率典型值fT均为150MHz（VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz），当IC=500mA, IB=50mA时，集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值均为0.20V。极间电容Cob典型值均为10pF（VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz）。产品具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于电机控制、负载开关、显示驱动和继电器驱动等领域。
另外，其 CXT591E 硅PNP晶体管耗散功率与温度均具有负的温度系数，其耗散功率对环境温度较为敏感，功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可参考频率温度曲线，通过相应的坐标值，方便控制器件功率的设计。具体功率降额曲线如图3所示。
图3. CXT591E 晶体管功率降额曲线
CXT491E,CXT591E硅NPN/PNP晶体管的主要特点：
• 集电极-基极电压VCBO均为80V
• 集电极-发射极电压VCEO均为60V
• 其耗散功率PD最高均为1.2W（TA=25℃）
• 集电极连续电流IC均为1.0A
• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C
• 结壳热阻均为104°C/W
• 采用SOT-89封装
CXT491E,CXT591E硅NPN/PNP晶体管的典型应用：
• 应用于高电流的通用放大器
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