【产品】SOT-523封装的P沟道增强型MOSFET AP3139KE，ESD保护高达2.0KV（HBM）
铨力半导体推出一款采用SOT-523封装的P沟道增强型MOSFET AP3139KE，采用先进的沟槽技术，漏源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流最大额定值为-0.66A（Ta=25℃），无铅产品，ESD保护高达2.0KV（HBM），适用于接口开关、负载开关、逻辑电平转换等应用
特点
漏源电压VDS=-20V，连续漏极电流ID=-0.66A
漏源导通电阻RDS(ON)<520mΩ@VGS=-4.5V（典型值430mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<700mΩ@VGS=-2.5V（典型值624mΩ）
漏源导通电阻RDS(ON)<1200mΩ@VGS=-1.8V（典型值950mΩ）
采用先进的沟槽技术
无铅产品
ESD保护高达2.0KV（HBM）
应用
接口开关
负载开关
逻辑电平转换
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3. 表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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