【产品】50V/340mA的N沟道增强型场效应晶体管BSS138DW，28.5pF低输入电容，可实现快速切换
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管BSS138DW，采用沟槽型功率中压MOSFET技术，具有快速切换、低漏电流等优势，非常适用于电池操作系统、固态继电器、直接逻辑层接口（TTL / CMOS）等相关应用。
图1 BSS138DW封装及电路图
BSS138DW的漏源电压为50V，漏极电流为340mA。RDS（ON）最大不超过2.5Ω（@VGS= 10V, ID=300mA）。具有低输入电容，典型值仅为28.5pF（@VDS=25V,VGS=0V,f=1MHZ）。总栅极电荷典型值仅为1.7nC（@VGS=10V,VDS=25V,ID=0.3A），可实现高开关速度，具有快速切换能力。另外，结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
BSS138DW特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
电压控制小信号开关
低输入电容
快速切换速度
低漏输入/输出
BSS138DW应用：
电池操作系统
固态继电器
直接逻辑层接口：TTL / CMOS
BSS138DW订购信息：
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
2N7002 N沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了2N7002 N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点，适用于电池供电系统、固态继电器和直接逻辑电平接口等领域。
型号- 2N7002
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型号- 2N7002KDHQ
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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