【产品】50V/340mA的N沟道增强型场效应晶体管BSS138DW，28.5pF低输入电容，可实现快速切换

时间： 2021-02-17 来源：扬杰科技

技术问答

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管 BSS138DW，采用沟槽型功率中压MOSFET技术，具有快速切换、低漏电流等优势，非常适用于电池操作系统、固态继电器、直接逻辑层接口（TTL / CMOS）等相关应用。

图1 BSS138DW封装及电路图

BSS138DW的漏源电压为50V，漏极电流为340mA。R_DS（ON）最大不超过2.5Ω（@V_GS= 10V, I_D=300mA）。具有低输入电容，典型值仅为28.5pF（@VDS=25V,VGS=0V,f=1MHZ）。总栅极电荷典型值仅为1.7nC（@VGS=10V,VDS=25V,ID=0.3A），可实现高开关速度，具有快速切换能力。另外，结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。

BSS138DW特点：

沟槽功率中压MOSFET技术

电压控制小信号开关

低输入电容

快速切换速度

低漏输入/输出

BSS138DW应用：

电池操作系统

固态继电器

直接逻辑层接口：TTL / CMOS

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